时间：2025/6/27 14:01:23
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RF15N3R6A500CT是一款高性能的射频（RF）功率场效应晶体管（MOSFET），专为高频通信系统、无线基站以及雷达应用设计。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻和高击穿电压的特点，能够在高频条件下提供卓越的功率转换效率和线性度。
这款晶体管特别适合用于Doherty功率放大器和其他复杂的射频功率放大器架构中，以满足现代无线通信标准（如4G LTE和5G NR）对高效能和高性能的要求。
型号：RF15N3R6A500CT
类型：射频功率MOSFET
封装形式：陶瓷封装
额定电压：50V
额定电流：20A
导通电阻：3.6mΩ
最大输出功率：15W
频率范围：1GHz - 3GHz
增益：12dB
输入匹配阻抗：50Ω
输出匹配阻抗：50Ω
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
RF15N3R6A500CT具备以下显著特性：
1. 高效的功率转换能力，尤其在高频段表现优异，能够减少能量损耗。
2. 极低的导通电阻，确保了较低的传导损耗和更高的整体效率。
3. 高线性度和出色的动态范围，适用于复杂调制信号的放大。
4. 内部保护电路设计，防止过热或过流损坏，提升了器件的可靠性。
5. 良好的热性能设计，使得器件在高功率操作下也能保持稳定的工作状态。
6. 宽广的工作频率范围，支持多种通信标准和应用场景。
RF15N3R6A500CT主要应用于以下领域：
1. 射频功率放大器（RF PA）设计，特别是在Doherty架构中使用，可实现更高的效率。
2. 无线通信基站中的发射机部分，支持包括LTE、5G在内的新一代通信技术。
3. 雷达系统中的功率放大模块，提供高可靠性和高线性度的射频输出。
4. 工业、科学和医疗设备（ISM）领域的射频能量传输。
5. 测试与测量设备中的高性能射频信号源。
RF15N3R6A550CT, RF18N3R6A500CT
