时间：2025/7/8 10:17:20
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RF15N3R0A500CT 是一款氮化镓 (GaN) 基高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为射频 (RF) 和微波应用设计。该器件采用先进的 GaN 技术，具备高功率密度、高效率和宽带宽特性，适合用于雷达、通信系统、测试设备等高性能领域。
RF15N3R0A500CT 的设计目标是提供卓越的线性度和增益，同时降低功耗并减少整体解决方案尺寸。其封装形式通常优化散热性能，以确保在高频工作条件下维持稳定。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±7V
输出功率：50W
频率范围：DC 至 6GHz
漏极电流（典型值）：15A
导通电阻（典型值）：0.2Ω
增益（典型值）：10dB
效率（典型值）：65%
RF15N3R0A500CT 利用氮化镓技术提供了显著优于传统硅基晶体管的性能表现。
1. 高击穿电压：支持高达 100V 的漏源电压，使得器件能够在更高功率下运行。
2. 低导通电阻：仅为 0.2Ω 的导通电阻大幅降低了传导损耗，从而提升了整体效率。
3. 高效率：在高频段（如 6GHz）下仍能保持超过 65% 的效率，非常适合对功耗敏感的应用。
4. 宽带宽能力：覆盖从直流到 6GHz 的频率范围，适用于多种通信协议和标准。
5. 热性能优越：专门设计的封装有助于高效散热，延长器件寿命并增强稳定性。
6. 易于驱动：较低的栅极电荷量简化了驱动电路设计，减少了复杂性和成本。
RF15N3R0A500CT 广泛应用于需要高功率、高效率和高频响应的场景中。
1. 军事与航空航天：包括相控阵雷达、卫星通信以及电子对抗系统。
2. 无线基础设施：例如 5G 基站中的功率放大器模块，能够满足苛刻的带宽和效率要求。
3. 测试与测量设备：为信号发生器、网络分析仪等仪器提供可靠的射频输出。
4. 医疗成像：超声波设备中的发射链路可能利用此器件实现更高的图像分辨率。
5. 工业加热及点火：某些非通信类应用也依赖于其高功率输出能力。
RF15N3R0A300CT, RF15N3R0A700CT
