时间：2025/6/23 10:21:06
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RF15N1R8C500CT 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，适用于高频和高功率应用。该器件具有出色的开关特性和低导通电阻，能够显著提升电源转换效率并减少系统尺寸。
它通常用于射频放大器、DC-DC 转换器以及无线充电等场景中。由于其优异的热性能和高频特性，RF15N1R8C500CT 成为现代高效能电子设备的理想选择。
额定电压：15V
最大漏源电流：2A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：6nC
输入电容：450pF
输出电容：120pF
反向恢复时间：无（无体二极管）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
RF15N1R8C500CT 使用先进的 GaN 技术制造，具备以下特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了传导损耗，提升了整体效率。
2. 支持高达 MHz 级别的开关频率，非常适合高频应用。
3. 没有寄生体二极管，因此不会出现反向恢复损耗。
4. 小型封装设计，节省 PCB 空间。
5. 具备出色的热稳定性和可靠性，在高温环境下仍能保持良好性能。
6. 提供快速开关速度，降低开关损耗并改善动态性能。
这款 GaN HEMT 广泛应用于以下领域：
1. 射频功率放大器，特别是需要高效率和高线性度的通信系统。
2. 开关模式电源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
3. 无线充电发射端和接收端电路。
4. 激光雷达（LiDAR）驱动器和其他脉冲生成应用。
5. 高速数据传输中的信号调节与放大。
6. 工业及汽车电子中的高频电源管理模块。
RF15N1R8C400CT, RF20N1R8C500CT
