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RF15N1R6B500CT 发布时间 时间:2025/7/7 18:23:10 查看 阅读:9

RF15N1R6B500CT 是一款高性能的氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET),专为高频和高效率应用场景设计。该器件采用先进的 GaN 技术,具有低导通电阻、高开关速度和高功率密度等特性,适合于射频 (RF) 放大器、DC-DC 转换器以及其他高频功率转换应用。
  RF15N1R6B500CT 的封装形式通常为表面贴装,便于高效散热和集成到复杂电路中。其高效率和紧凑的设计使其成为现代电子系统中的理想选择。

参数

额定电压:650V
  额定电流:15A
  导通电阻:1.6mΩ
  栅极电荷:75nC
  最大工作温度:175°C
  封装类型:TO-247

特性

RF15N1R6B500CT 的主要特性包括:
  1. 高效性能:得益于 GaN 技术,该器件能够在高频条件下保持高效率,降低能量损耗。
  2. 快速开关能力:具有极低的开关损耗和快速的开关速度,非常适合高频应用。
  3. 紧凑设计:小尺寸封装有助于减小整体系统体积。
  4. 高可靠性:经过严格测试,能够在高温和高压环境下稳定运行。
  5. 低导通电阻:显著减少导通时的能量损耗,提升整体效率。
  6. 易于驱动:优化的栅极驱动要求简化了外围电路设计。

应用

RF15N1R6B500CT 广泛应用于以下领域:
  1. 射频功率放大器:适用于通信基站、雷达和其他高频信号处理设备。
  2. DC-DC 转换器:用于服务器、电信设备以及电动汽车中的高效电源管理。
  3. 无线充电:提供高效率和高功率密度解决方案。
  4. 电机驱动:支持高频开关和精确控制。
  5. 光伏逆变器:提高太阳能系统的转换效率。

替代型号

RF15N1R6B500CT-A, RF15N1R6B500CT-B

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RF15N1R6B500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.09274卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1.6 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-