时间：2025/7/7 18:20:23
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RF15N1R3A500CT 是一种氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为射频 (RF) 功率放大器应用设计。该器件具有高功率密度、高效率和宽带宽特性，适用于无线通信、雷达系统以及其他高频射频功率应用。
RF15N1R3A500CT 的封装形式通常为表面贴装类型，方便在各种射频电路板中集成使用。其出色的电气性能使其成为传统硅基晶体管的高性能替代品。
最大漏源电压：100V
最大漏极电流：12A
输出功率：50W
频率范围：DC 至 6GHz
导通电阻：0.1Ω
增益：15dB
封装类型：表面贴装
RF15N1R3A500CT 拥有卓越的射频性能，能够提供高效率和高线性度。它的 GaN 技术确保了低热阻和高可靠性，适合高温环境下的工作。此外，该器件还具有以下特点：
1. 高击穿电压和低导通电阻，使得功耗显著降低。
2. 宽带宽支持，覆盖多种射频应用需求。
3. 内部匹配网络优化，简化外部电路设计。
4. 稳定的工作特性，在不同负载条件下表现出色。
5. 良好的散热性能，适合高功率应用场景。
RF15N1R3A500CT 广泛应用于各种射频功率领域，包括但不限于：
1. 基站功率放大器（如 LTE 和 5G 网络）。
2. 军事与航空航天中的雷达系统。
3. 无线电广播设备。
4. 医疗成像设备中的射频发生器。
5. 工业加热和等离子体激发等特殊用途。
由于其高频和高功率处理能力，它非常适合需要高性能射频信号放大的场合。
RF15N1R3A400CT
RF15N1R3A600CT
