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RF15N1R3A500CT 发布时间 时间:2025/7/7 18:20:23 查看 阅读:16

RF15N1R3A500CT 是一种氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT),专为射频 (RF) 功率放大器应用设计。该器件具有高功率密度、高效率和宽带宽特性,适用于无线通信、雷达系统以及其他高频射频功率应用。
  RF15N1R3A500CT 的封装形式通常为表面贴装类型,方便在各种射频电路板中集成使用。其出色的电气性能使其成为传统硅基晶体管的高性能替代品。

参数

最大漏源电压:100V
  最大漏极电流:12A
  输出功率:50W
  频率范围:DC 至 6GHz
  导通电阻:0.1Ω
  增益:15dB
  封装类型:表面贴装

特性

RF15N1R3A500CT 拥有卓越的射频性能,能够提供高效率和高线性度。它的 GaN 技术确保了低热阻和高可靠性,适合高温环境下的工作。此外,该器件还具有以下特点:
  1. 高击穿电压和低导通电阻,使得功耗显著降低。
  2. 宽带宽支持,覆盖多种射频应用需求。
  3. 内部匹配网络优化,简化外部电路设计。
  4. 稳定的工作特性,在不同负载条件下表现出色。
  5. 良好的散热性能,适合高功率应用场景。

应用

RF15N1R3A500CT 广泛应用于各种射频功率领域,包括但不限于:
  1. 基站功率放大器(如 LTE 和 5G 网络)。
  2. 军事与航空航天中的雷达系统。
  3. 无线电广播设备。
  4. 医疗成像设备中的射频发生器。
  5. 工业加热和等离子体激发等特殊用途。
  由于其高频和高功率处理能力,它非常适合需要高性能射频信号放大的场合。

替代型号

RF15N1R3A400CT
  RF15N1R3A600CT

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RF15N1R3A500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.14614卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1.3 pF
  • 容差±0.05pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-