时间：2025/7/2 11:59:58
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RF15N1R1A500CT 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频、高功率射频应用而设计。该器件采用了先进的 GaN 技术，具有高击穿电压、低导通电阻和高频率性能的特点，适用于射频功率放大器、雷达系统和通信基站等场景。
这款晶体管的封装形式通常为陶瓷气密封装，以确保在恶劣环境下的可靠性和散热性能。
最大漏源电压：150V
最大栅源电压：±6V
漏极饱和电流：25A
输出功率：50W
工作频率范围：DC-5GHz
导通电阻：0.1Ω
增益带宽积：12GHz
热阻：1.5°C/W
RF15N1R1A500CT 的主要特性包括：
1. 高效的射频能量转换能力，适合高功率密度应用。
2. 低寄生电容和电感设计，提升了高频下的性能。
3. 良好的线性度和增益稳定性，能够满足复杂调制信号的需求。
4. 内置静电保护电路，提高了器件的可靠性。
5. 封装形式支持高效的热管理和电气连接。
6. 高击穿电压保证了在高压环境下工作的稳定性。
该型号广泛应用于以下领域：
1. 射频功率放大器（PA）用于无线通信基站。
2. 军事及航空航天领域的雷达系统。
3. 医疗设备中的高能射频发生器。
4. 工业加热和等离子体生成设备。
5. 测试与测量仪器中的高功率信号源。
6. 卫星通信系统中的上行链路功率放大器。
RF15N1R1A500CTA, RF15N1R1A500CTB
