时间：2025/7/10 21:19:51
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RF15N180G500CT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于高频和高功率应用。该器件具有高开关速度、低导通电阻和高击穿电压等特性，适合用于射频功率放大器、D类音频放大器以及无线能量传输等领域。
相比传统硅基MOSFET，RF15N180G500CT 提供了更优异的性能表现，尤其是在高频和高效率应用场景中。
最大漏源电压：180V
最大连续漏极电流：5A
导通电阻：15mΩ
栅极电荷：70nC
反向恢复时间：无（因GaN结构无反向恢复问题）
工作温度范围：-55°C至+175°C
RF15N180G500CT 基于先进的氮化镓技术，具备以下显著特点：
1. 高击穿电压：高达180V，确保在高压环境下的稳定运行。
2. 超低导通电阻：仅15mΩ，减少了传导损耗并提高了系统效率。
3. 快速开关性能：得益于GaN材料的特性，其开关速度远超传统硅器件。
4. 热性能优越：能够承受较高的结温，拓宽了应用范围。
5. 无反向恢复损耗：由于GaN HEMT结构的独特性，消除了与二极管相关的反向恢复问题，进一步优化了高频效率。
6. 小型化设计：采用紧凑封装，适合空间受限的应用场景。
RF15N180G500CT 主要应用于以下领域：
1. 射频功率放大器：用于无线通信基站、雷达和其他射频设备。
2. D类音频放大器：提供高效音频信号放大功能。
3. 无线充电模块：支持高效无线能量传输方案。
4. 开关电源：例如DC-DC转换器和AC-DC适配器，提升功率密度和效率。
5. 激光雷达（LiDAR）驱动：为自动驾驶和工业自动化中的高精度测距系统供电。
RF15N180G300CT, RF15N150G500CT
