时间：2025/7/4 6:02:28
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RF15N120F500CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性，适用于多种功率转换应用。其额定电压为 120V，适合用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。
RF15N120F500CT 的封装形式通常为 TO-247 或 TO-220，具体取决于制造商的设计规范。这种封装有助于提高散热性能，使其能够应对较高功率的工作条件。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：15A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：38nC
输入电容：1500pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
功耗：200W
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够在高电流条件下减少功耗和发热。
2. 高速开关性能，支持高频应用，从而减小磁性元件的体积并提升效率。
3. 内置反向恢复二极管，可有效降低开关损耗。
4. 出色的热稳定性和可靠性，适合长时间运行的工业设备。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 支持表面贴装和通孔安装两种方式，便于设计灵活性。
7. 具备良好的 ESD 防护能力，确保在各种环境下的稳定性。
RF15N120F500CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动与控制电路。
3. 太阳能逆变器和储能系统。
4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的功率管理模块。
5. 工业自动化设备中的功率转换部分。
6. LED 照明驱动电路。
7. 不间断电源 (UPS) 系统。
RF15N120F400CT, IRFZ44N, FQP16N12
