您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > RF15N120F500CT

RF15N120F500CT 发布时间 时间:2025/7/4 6:02:28 查看 阅读:19

RF15N120F500CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性,适用于多种功率转换应用。其额定电压为 120V,适合用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。
  RF15N120F500CT 的封装形式通常为 TO-247 或 TO-220,具体取决于制造商的设计规范。这种封装有助于提高散热性能,使其能够应对较高功率的工作条件。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:38nC
  输入电容:1500pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  功耗:200W

特性

1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够在高电流条件下减少功耗和发热。
  2. 高速开关性能,支持高频应用,从而减小磁性元件的体积并提升效率。
  3. 内置反向恢复二极管,可有效降低开关损耗。
  4. 出色的热稳定性和可靠性,适合长时间运行的工业设备。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  6. 支持表面贴装和通孔安装两种方式,便于设计灵活性。
  7. 具备良好的 ESD 防护能力,确保在各种环境下的稳定性。

应用

RF15N120F500CT 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动与控制电路。
  3. 太阳能逆变器和储能系统。
  4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的功率管理模块。
  5. 工业自动化设备中的功率转换部分。
  6. LED 照明驱动电路。
  7. 不间断电源 (UPS) 系统。

替代型号

RF15N120F400CT, IRFZ44N, FQP16N12

RF15N120F500CT推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

RF15N120F500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.37225卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容12 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-