时间：2025/7/12 16:19:03
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RF15N100C500CT 是一款高压 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、逆变器和电机驱动等场景。该器件采用 TO-247 封装，具备低导通电阻和高耐压的特点，适合在高频和大功率应用中使用。
其主要设计目的是为工业和消费类电子设备提供高效能的功率转换解决方案。
型号：RF15N100C500CT
封装：TO-247
漏源电压 (Vds)：1000V
连续漏极电流 (Id)：15A
栅极电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 (Rds(on))：3.5Ω（最大值，在 Vgs=10V 时）
功耗 (Pd)：270W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
RF15N100C500CT 具备以下关键特性：
1. 高击穿电压：1000V 的漏源电压使其适用于高压环境。
2. 大电流处理能力：连续漏极电流高达 15A，能够满足多种功率需求。
3. 低导通电阻：即使在高压下，也能有效降低导通损耗。
4. 快速开关性能：具有较低的输入电容和输出电荷，支持高频开关操作。
5. 稳定性：能够在 -55°C 到 +150°C 的宽温度范围内可靠工作。
6. 可靠性：采用先进的制造工艺，确保长期使用的稳定性。
该 MOSFET 广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 逆变器设计中的高频功率转换。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 不间断电源（UPS）系统中的功率管理。
6. 电动车充电器和其他高压电力电子应用。
RF15N100C500,
IRFP260N,
STGW15N65C3,
FQA15N100C,
IXTH15N100U3
