时间：2025/7/12 16:18:16
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RF15N0R8B250CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高频率、高效能功率晶体管，专为射频和微波应用而设计。该器件采用先进的 GaN-on-SiC 技术制造，具有卓越的高频性能和高输出功率密度，适用于通信系统、雷达设备和其他高频电子应用。其出色的热特性和高击穿电压使其在高频和高功率应用中表现出色。
类型：GaN HEMT
最大漏源电压：150 V
连续漏极电流：8 A
峰值脉冲漏极电流：24 A
栅源电压（最大）：+6 V/-6 V
输出功率密度：25 W/mm
工作频率范围：DC 至 3 GHz
导通电阻：20 mΩ
封装形式：陶瓷气密封装
RF15N0R8B250CT 具有高效率和低热阻的特点，能够有效降低系统的功耗和散热需求。它采用了增强型模式 GaN 技术，具备更高的可靠性和稳定性。该器件的高增益和线性度使其非常适合用于高性能射频功率放大器。此外，其紧凑的封装设计有助于减少寄生效应，从而进一步提升高频性能。
由于其优异的电气性能和热性能，这款晶体管在高功率射频应用中表现尤为突出，包括但不限于无线基础设施、航空航天以及国防领域中的各种复杂系统。
RF15N0R8B250CT 广泛应用于高频射频功率放大器的设计，特别是在以下场景中：
1. 通信基站中的 PA 模块
2. 军用雷达系统
3. 卫星通信设备
4. 点对点微波回传链路
5. 测试与测量仪器
6. 工业科学医疗 (ISM) 领域中的高频能量传输设备
该晶体管的高效率和宽带宽能力使得它成为现代通信系统升级的理想选择。
RF15N0R8B200CT, RF10N0R8B250CT
