时间：2025/6/23 11:22:52
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RF15N0R6B500CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，主要应用于高频、高效率功率转换场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能。
它广泛适用于 DC-DC 转换器、同步整流、电机驱动、电源管理等应用领域。
型号：RF15N0R6B500CT
类型：N 沟道增强型 MOSFET
Vds（漏源电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：4.8mΩ（典型值，25°C）
Id（连续漏极电流）：15A
Vgs(th)（阈值电压）：1.7V ~ 3.0V
栅极电荷（Qg）：15nC（典型值）
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-263 (D2PAK)
RF15N0R6B500CT 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，在满载条件下能够显著降低功耗，提升系统效率。
2. 快速开关特性使其适合高频应用，减少开关损耗。
3. 出色的热稳定性设计，可承受高达 175°C 的结温。
4. 高度可靠的设计保证了其在恶劣环境下的稳定运行。
5. 小型化封装节省了 PCB 空间，同时保持良好的散热性能。
这些特性使得 RF15N0R6B500CT 成为高效率功率转换和紧凑型设计的理想选择。
该器件适用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流 MOSFET。
2. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关或保护开关。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 各类工业设备中的电源管理和功率控制模块。
5. 高效 LED 驱动器和逆变器设计。
由于其出色的电气性能和可靠性，RF15N0R6B500CT 在消费电子、工业自动化、汽车电子等领域均有广泛应用。
RF15N0R6B300CT, RF10N0R6B500CT
