时间：2025/7/12 14:00:47
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RF15N0R5B500CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺，能够提供低导通电阻和快速开关性能，适合在高效率 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器以及电源管理模块中使用。
RF15N0R5B500CT 具有出色的热稳定性和耐用性，能够承受较大的电流和电压波动。此外，其紧凑的封装设计使其非常适合空间受限的应用场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：12A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：13nC
开关速度：超快
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低功耗并提高整体效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用环境。
3. 优异的热稳定性，确保在极端温度条件下依然可靠运行。
4. 紧凑型封装设计，节省电路板空间。
5. 高雪崩能量能力，提升器件的鲁棒性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足全球法规要求。
RF15N0R5B500CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机控制和驱动电路。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 通信设备中的信号调节和功率管理。
6. 汽车电子系统中的电源管理和电机驱动。
RF15N0R5B500CS, RF15N0R5B500DT
