RF15N0R3B500CT 时间：2025/11/6 8:32:26 阅读：4

RF15N0R3B500CT是一款由罗姆（ROHM）半导体公司生产的功率MOSFET器件，属于其高性能、高可靠性功率晶体管产品线的一部分。该器件主要设计用于在高频率和高效率要求的应用中进行开关操作，例如电源转换系统、DC-DC变换器、电机驱动以及工业电源设备等。RF15N0R3B500CT采用先进的沟槽栅极技术和硅基工艺制造，确保了低导通电阻、优异的热稳定性和较高的电流处理能力。该MOSFET为N沟道类型，适用于需要快速响应和低功耗损耗的现代电子系统。其封装形式通常为TO-220或类似的通孔型封装，便于散热管理与电路板安装，适合于中高功率应用场景。由于具备良好的雪崩耐受能力和抗瞬态过压特性，该器件能够在严苛的工作条件下保持长期稳定性，广泛应用于消费类电源、通信基础设施和工业控制系统中。

参数

型号：RF15N0R3B500CT
　　制造商：ROHM
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：150 V
　　连续漏极电流（Id）：15 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：60 A
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻（Rds(on)）：30 mΩ @ Vgs = 10 V, Id = 7.5 A
　　阈值电压（Vth）：典型值 3.0 V，范围 2.0 ~ 4.0 V
　　最大功耗（Pd）：150 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：TO-220FM

特性

RF15N0R3B500CT具有出色的电气性能和热管理能力，其核心优势在于极低的导通电阻（Rds(on)），仅为30毫欧，在Vgs=10V条件下可显著降低导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统的能效。这一特性使其非常适合用于高频开关电源设计，如服务器电源、LED驱动电源和光伏逆变器等对效率有严格要求的应用场景。该器件采用了罗姆专有的沟槽栅结构技术，优化了载流子流动路径，提升了单位面积下的电流密度，并有效抑制了米勒电容效应，减少了开关过程中的能量损失。
　　此外，该MOSFET具备优异的热稳定性，其最大功耗可达150W，在配备适当散热器的情况下能够长时间稳定运行。器件的结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种恶劣环境条件下的使用需求。内置的体二极管也经过优化，具备较快的反向恢复速度，有助于减少换流过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI）。
　　RF15N0R3B500CT还具备良好的抗雪崩能力，能够在意外过压或负载突变时承受一定的能量冲击而不损坏，增强了系统的鲁棒性。其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（10V驱动），同时也支持较低电压驱动方案，提高了与控制器IC的接口灵活性。整体设计符合RoHS环保标准，适用于自动化生产和绿色电子产品开发。

应用

RF15N0R3B500CT广泛应用于各类中高功率电力电子系统中。典型用途包括开关模式电源（SMPS）、AC-DC和DC-DC转换器，特别是在大电流输出的同步整流拓扑中发挥关键作用。它也被用于电机控制电路，如家用电器中的变频驱动模块、工业电机驱动器和电动工具电源单元。在新能源领域，该器件可用于太阳能微型逆变器、储能系统中的功率调节模块以及电动汽车充电设备的辅助电源部分。此外，由于其高可靠性和耐久性，该MOSFET常被选用在通信基站电源、UPS不间断电源系统和工业自动化控制设备中，作为主开关元件或同步整流器件。其TO-220FM封装具备优良的散热性能，适合焊接在PCB上并加装散热片使用，满足长时间满负荷运行的需求。