晶体管类型：GaAs HBT
　　封装类型：表面贴装（SOT-89）
　　频率范围：DC至3 GHz
　　最大输出功率：28 dBm（典型值）
　　增益：约17 dB（在2 GHz）
　　功率附加效率（PAE）：约55%（在2 GHz）
　　工作电压：+5 V
　　输入和输出阻抗：50Ω（匹配）
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

RF1480TR13采用了先进的GaAs HBT工艺，具备优异的线性放大性能和高效能表现，非常适合用于需要高线性度和低失真的射频应用。该晶体管内部集成了输入和输出匹配网络，从而减少了外部组件的需求，简化了电路设计。
　　其工作频率范围覆盖从DC到3 GHz，使其适用于多种无线通信标准，包括2G、3G、4G LTE和WiMAX。在2 GHz频段下，RF1480TR13的典型增益为17 dB，输出功率为28 dBm，同时具有约55%的功率附加效率（PAE），这使得它在高效率和低功耗之间取得了良好的平衡。
　　该器件采用SOT-89封装，具有较小的尺寸，适合用于紧凑型射频模块设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C，能够适应各种工业环境下的稳定运行。此外，RF1480TR13的输入和输出阻抗均为50Ω，可以直接与射频前端电路进行阻抗匹配，从而减少额外的匹配元件，降低设计复杂度和成本。
　　总的来说，RF1480TR13是一款性能优异、集成度高的射频晶体管，广泛应用于现代无线通信系统中，尤其是在需要高线性度、高效率和小尺寸设计的场景中表现出色。

RF1480TR13主要应用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、WiMAX基站、LTE射频模块、小型蜂窝系统（Small Cell）、无线接入点、射频测试设备以及宽带射频功率放大器等场景。由于其高线性度和高效能特性，也常用于需要高质量信号放大的射频前端设计。

RF1480TR13的替代型号包括RF1481TR13、HMC392、BFQ191、MRFE6VP2030等，具体替代需根据实际应用需求进行参数匹配和验证。