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RF1337.E.01TR7X 发布时间 时间:2025/8/16 2:08:49 查看 阅读:15

RF1337.E.01TR7X 是一款由 Renesas Electronics(瑞萨电子)推出的射频(RF)功率晶体管,属于金属陶瓷封装的LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)晶体管。该器件专为高频、高功率应用设计,适用于广播、通信基础设施、工业加热设备以及射频能量应用等领域。该晶体管采用先进的LDMOS工艺,提供高增益、高效率和良好的热稳定性,能够在高频率下保持优异的性能。

参数

工作频率:50 MHz - 1 GHz
  最大漏极电压:65 V
  最大连续漏极电流:18 A
  输出功率:典型值120 W
  增益:20 dB @ 900 MHz
  效率:典型值65%
  输入驻波比(VSWR):2.5:1
  封装类型:陶瓷金属封装
  工作温度范围:-65°C 至 +150°C

特性

RF1337.E.01TR7X 具备多项先进的技术特性,使其在高功率射频应用中表现出色。其LDMOS结构提供了更高的增益和更低的互调失真,同时具有良好的线性度,非常适合用于多载波放大器设计。该晶体管支持宽频率范围,可在50 MHz至1 GHz之间稳定工作,适应多种通信标准,如FM广播、DAB、LTE和WiMAX等。
  此外,该器件具有较高的热稳定性和可靠性,能够承受较高的工作温度,并具备良好的热传导性能,适用于连续高功率工作的环境。其封装设计采用了金属陶瓷结构,具有优良的机械强度和气密性,确保在恶劣环境下的稳定运行。
  RF1337.E.01TR7X 还具备较高的抗失配能力,在负载阻抗变化较大的情况下仍能保持稳定输出,降低系统设计的复杂性。此外,它还支持较高的电源效率,有助于降低功耗和散热需求,提高系统的整体能效。

应用

该器件广泛应用于广播发射机(如FM和DAB广播)、无线通信基础设施(如蜂窝基站和WiMAX系统)、工业射频加热设备、医疗射频治疗设备以及测试与测量仪器等高功率射频系统中。由于其优异的性能和可靠性,RF1337.E.01TR7X 也适用于需要高线性度和高效率的多载波放大器设计。

替代型号

MRF151G, AFT05MS003N, NRD3100, MRF1510

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