RF1156TR 时间：2025/8/15 9:43:58 阅读：30

RF1156TR是一款由Renesas Electronics设计的高性能射频（RF）功率晶体管，广泛用于无线通信基础设施中的射频功率放大器应用。该器件基于先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，能够在高频段提供高输出功率和优异的线性性能。RF1156TR特别适用于蜂窝基站、广播系统和工业应用中的射频放大需求。

参数

类型：射频功率MOSFET
　　技术：LDMOS
　　封装类型：TO-247
　　频率范围：DC至1000MHz
　　输出功率：600W（典型值）
　　漏极电压（VD）：最大65V
　　工作电压：50V
　　输入驻波比（VSWR）：10:1匹配
　　增益：27dB（典型值）
　　效率：典型值为60%
　　工作温度范围：-65°C至+150°C

特性

RF1156TR采用Renesas先进的LDMOS技术，具备高功率密度和卓越的热稳定性，能够在苛刻的环境条件下保持稳定运行。该器件在860MHz至960MHz频段内可提供高达600W的连续波（CW）输出功率，适用于多种蜂窝通信标准，包括GSM、CDMA和LTE等。
　　其高增益特性（典型27dB）可减少前端驱动级的复杂性，降低系统成本。同时，RF1156TR具有良好的线性度和失真性能，支持高数据速率传输应用中的多载波放大需求。此外，该器件在50V工作电压下表现出优异的效率（典型60%），有助于降低功耗并提高系统整体能效。
　　RF1156TR具备10:1的输入驻波比（VSWR）耐受能力，使其在不理想的负载条件下仍能保持稳定工作，提高了系统可靠性。该器件采用TO-247封装，便于散热和安装，适用于高功率密度设计。