RF1140PCK-410 时间：2025/8/15 15:15:38 阅读：9

RF1140PCK-410是一款由Renesas（瑞萨电子）生产的射频（RF）功率晶体管，专为高功率射频放大应用设计。该器件采用了先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，能够在高频率下提供出色的功率增益和效率，适用于通信基础设施、广播设备、工业加热以及射频测试设备等领域。RF1140PCK-410封装在一个高散热效率的PCK封装中，确保在高功率运行时保持良好的热稳定性。

参数

类型：射频功率晶体管
　　工艺技术：LDMOS
　　频率范围：典型工作频率范围为1.8 GHz至2.7 GHz
　　输出功率：典型输出功率为1400 W（脉冲模式下）
　　增益：典型增益为27 dB
　　效率：典型漏极效率为60%以上
　　工作电压：典型漏极电压为65 V
　　输入阻抗：50Ω匹配
　　封装类型：PCK
　　热阻：典型值为0.15°C/W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

RF1140PCK-410采用了先进的LDMOS技术，使其在高频范围内具有优异的性能表现。其高输出功率能力使其非常适合用于高功率射频放大器应用，例如蜂窝基站、广播发射机和工业射频加热设备。此外，该器件具有高增益和高效率，能够在减少外部匹配元件的同时提高整体系统效率。该晶体管内置输入匹配网络，简化了外部电路设计，并且能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于严苛的工业和通信环境。
　　该器件的PCK封装提供了优异的散热性能，有助于在高功率运行时保持较低的工作温度，从而提高可靠性和使用寿命。RF1140PCK-410还具有良好的热稳定性和抗失真能力，适用于需要高线性度的应用场景。其输入和输出端口经过优化，以实现最佳的50Ω系统匹配，减少了外部匹配电路的复杂性，降低了设计难度。
　　在应用方面，RF1140PCK-410常用于4G LTE基站、DVB-T广播发射机、射频测试设备以及工业和医疗射频能量应用。该器件在高功率、高频率条件下表现出色，能够满足现代通信系统对高效率和高可靠性日益增长的需求。