类型：射频功率晶体管
　　技术：LDMOS
　　最大漏极电流（ID）：12A
　　最大漏源电压（VDS）：65V
　　工作频率范围：DC 至 1GHz
　　输出功率（CW）：典型值 125W @ 900MHz
　　增益：典型值 25dB @ 900MHz
　　效率：典型值 65% @ 900MHz
　　封装形式：TO-247
　　热阻（Rth）：约 1.2°C/W
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

RF1128SB 的主要特性包括其高功率输出能力和高效率，这使其非常适合用于高功率射频放大器设计。其 LDMOS 技术提供了良好的线性度和热稳定性，能够在高温环境下保持稳定的工作性能。此外，该器件具有较高的增益，减少了对前级放大器的要求，简化了系统设计。
　　该晶体管采用 TO-247 封装，便于散热和安装，适用于各种高功率应用场景。其高效率特性不仅减少了能源消耗，还降低了系统散热要求，提高了整体系统的可靠性。
　　RF1128SB 的频率范围覆盖 DC 至 1GHz，适用于多种无线通信标准，如 GSM、CDMA、WCDMA、LTE 等。其高线性度使其在多载波通信系统中表现出色，能够有效减少信号失真和互调干扰。
　　在可靠性方面，RF1128SB 设计用于长时间高功率运行，具备良好的抗热疲劳性能和稳定的电气特性。其封装材料和内部结构优化了热传导，确保器件在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。

RF1128SB 广泛应用于各类射频功率放大器中，特别是在无线通信基础设施领域。其主要应用场景包括蜂窝基站、广播发射机、工业加热设备、射频测试设备和医疗射频系统等。
　　在蜂窝通信系统中，RF1128SB 常用于基站的功率放大器模块，支持 GSM、CDMA、WCDMA 和 LTE 等多种通信标准。其高输出功率和高效率使其成为基站设计的理想选择。
　　在广播系统中，该器件可用于 FM 广播发射机和电视广播发射机的射频放大部分，提供高稳定性和高音质输出。
　　此外，RF1128SB 也适用于工业和医疗设备中的射频能量应用，如射频加热、等离子体发生器和射频焊接设备等。其高可靠性和良好的热管理能力使其在这些高要求环境中表现出色。

NXP MRF1128H、STMicroelectronics STAC9201、Infineon RFPA0412