RF1119ATR7HW 是一款由 Renesas Electronics(瑞萨电子)推出的射频(RF)放大器芯片,专为高性能无线通信应用设计。该芯片属于 RF111x 系列,主要面向蜂窝通信、无线基础设施、宽带通信系统等应用领域。RF1119ATR7HW 采用 GaAs(砷化镓)工艺制造,具备高线性度、低噪声和优异的增益性能,能够在高频段(如 700MHz 至 1GHz 以上)工作,适用于基站、射频中继器和测试设备等应用场景。
工作频率:700 MHz - 4 GHz
增益:约 18 dB(典型值)
输出IP3:约 +35 dBm(典型值)
噪声系数:约 2.5 dB(典型值)
工作电压:5V 或 3.3V(根据配置)
封装类型:TQFN-16
输出功率:约 +20 dBm(典型值)
功耗:低功耗设计,典型电流为 120 mA
高线性度输出:RF1119ATR7HW 具有出色的线性性能,输出三阶交调截距(OIP3)达到 +35 dBm,使其非常适合用于需要高信号完整性的通信系统。
宽频带操作:该器件支持从 700 MHz 到 4 GHz 的宽频段操作,适用于多种无线标准,如 LTE、WCDMA、WiMAX 和 5G 前端模块。
低噪声系数:噪声系数仅为 2.5 dB,确保在低信号电平条件下仍能保持良好的接收灵敏度。
灵活的电源配置:支持 3.3V 和 5V 两种供电电压,便于集成到不同的系统架构中。
紧凑型封装:采用 TQFN-16 封装,节省 PCB 空间,适用于高密度布局设计。
高集成度:内置偏置控制和温度补偿电路,简化外围设计并提升系统稳定性。
RF1119ATR7HW 主要应用于无线基础设施设备,如小型基站、分布式天线系统(DAS)和射频拉远单元(RRU)。
该芯片也广泛用于测试和测量设备,如频谱分析仪和信号发生器,提供高精度和稳定性的射频信号放大。
在工业通信和物联网(IoT)网关中,RF1119ATR7HW 可用于增强上行链路信号,提高数据传输可靠性。
此外,该芯片适用于军事和航空航天通信系统,满足高可靠性要求的环境条件。
HMC638LC4B, RFPA2043, ADRF5545A