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RF081M2STR 发布时间 时间:2025/5/9 17:55:42 查看 阅读:15

RF081M2STR 是一款基于硅锗 (SiGe) 工艺的射频功率放大器芯片,主要应用于无线通信系统中的信号放大。该芯片具有高线性度、高增益和低噪声等特点,适用于 GSM、CDMA 和 WCDMA 等多种通信标准。其设计优化了功耗与性能的平衡,适合于手机终端、基站以及其他射频设备中使用。
  该器件采用 SOT-89 封装形式,具备良好的散热性能,能够满足紧凑型设计需求。

参数

工作频率范围:824 MHz 至 960 MHz
  输出功率:33 dBm
  增益:18.5 dB
  电源电压:3.3 V
  静态电流:80 mA
  最大输入功率:10 dBm
  封装类型:SOT-89

特性

RF081M2STR 具备以下显著特性:
  1. 高效率输出功率,能够在维持较高线性度的同时实现大信号输出。
  2. 内置匹配网络,减少外部元件数量,简化电路设计并降低整体成本。
  3. 低失真和高线性度,确保在多载波环境下的优良性能表现。
  4. 支持关断模式,有效降低待机状态下的功耗。
  5. 宽泛的工作温度范围(-40°C 至 +85°C),适应多种应用场景的需求。
  6. 集成了过温保护和过流保护功能,提升系统的稳定性和可靠性。

应用

RF081M2STR 广泛应用于以下领域:
  1. GSM/EDGE 手机及模块
  2. CDMA 和 WCDMA 终端设备
  3. 无线接入点与小型基站
  4. 数据卡和物联网 (IoT) 设备
  5. 车载通信系统和其他便携式无线通信产品
  由于其卓越的射频性能,RF081M2STR 成为需要高效能和小尺寸解决方案的理想选择。

替代型号

RF081M2STRH, RF082M2STR

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RF081M2STR参数

  • 特色产品Fast Recovery Diodes
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)200V
  • 电流 - 平均整流 (Io)800mA
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)950mV @ 800mA
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)25ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电10µA @ 200V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123
  • 供应商设备封装PMDU
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称RF081M2SDKR