RF071M2STR 时间：2025/12/25 10:10:13 阅读：14

RF071M2STR是一款由Renesas Electronics（瑞萨电子）生产的N沟道场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的沟槽式场截止工艺制造，具有优异的开关性能和导通特性，适用于高效率电源转换应用。其封装形式为SOT-457（也称为SC-70），是一种小型表面贴装封装，适合在空间受限的应用中使用。RF071M2STR广泛应用于便携式电子产品、电池管理系统、DC-DC转换器以及负载开关等场合。该MOSFET具备低栅极电荷和低输入电容，有助于减少开关损耗，提升系统整体能效。此外，其快速的开关响应能力使其在高频操作条件下仍能保持良好的性能表现。产品符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺。
　　该型号的命名规则中，“RF”代表Renesas的MOSFET系列，“071”表示特定的电气特性分组，“M2S”指代具体的工艺与结构参数，而“TR”则表明其为卷带包装形式，适用于自动化贴片生产流程。由于其出色的热稳定性和可靠性，RF071M2STR被广泛用于消费类电子和工业控制领域中的低压功率管理电路中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　连续漏极电流(ID)：1.8A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：7A
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))：75mΩ @ VGS = 10V
　　导通电阻(RDS(on))：95mΩ @ VGS = 4.5V
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：270pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：100pF @ VDS=15V
　　反向传输电容(Crss)：40pF @ VDS=15V
　　栅极电荷(Qg)：6nC @ VGS=10V
　　功耗(Pd)：200mW
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装：SOT-457 (SC-70)

特性

RF071M2STR采用了瑞萨先进的沟槽式MOSFET制造技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关速度之间的平衡。其RDS(on)在VGS=10V时仅为75mΩ，在同类小封装器件中表现出色，有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了电源系统的整体效率。该器件的输入电容（Ciss）为270pF，输出电容（Coss）为100pF，Crss为40pF，这些较低的寄生电容值显著减少了高频开关过程中的能量损耗，使其非常适合用于高频DC-DC变换器和同步整流应用。此外，其栅极电荷Qg仅为6nC（@VGS=10V），进一步降低了驱动电路所需的功耗，简化了栅极驱动设计，提高了系统响应速度。
　　该MOSFET的阈值电压范围为1.0V至2.0V，确保了在低电压逻辑信号下也能可靠开启，兼容3.3V或更低的控制信号，适用于现代低电压微控制器直接驱动场景。其最大连续漏极电流可达1.8A（在25°C下），脉冲电流可达7A，具备较强的瞬态负载承受能力。尽管封装尺寸小巧（SOT-457），但通过优化芯片布局和封装材料，实现了良好的热传导性能，可在高密度PCB布局中稳定运行。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，具备出色的热稳定性，能够在严苛环境条件下长期可靠工作。
　　RF071M2STR还具备优良的雪崩耐受能力和抗静电能力，增强了在实际应用中的鲁棒性。其符合JEDEC标准的可靠性测试要求，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环等测试项目，确保产品在各种应用场景下的长期稳定性。此外，该器件采用无卤素（Halogen-free）和符合RoHS指令的材料体系，满足现代电子产品对环保的严格要求。整体而言，RF071M2STR是一款高性能、小体积、高可靠性的N沟道MOSFET，特别适用于对空间和能效有高要求的便携式设备和嵌入式电源系统。

应用

RF071M2STR广泛应用于多种低电压、小电流的功率开关场合。典型应用包括便携式电子设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电池充电与放电控制电路。其低导通电阻和小封装特性使其成为理想的选择用于负载开关，用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能与系统保护。此外，该器件常用于同步降压型DC-DC转换器中作为上管或下管，配合控制器实现高效的电压调节，适用于主板上的内核供电或I/O电压转换。
　　在电机驱动方面，RF071M2STR可用于微型直流电机或步进电机的驱动电路中，特别是在玩具、小型家电和办公自动化设备中作为H桥结构的一部分。其快速的开关响应能力保证了电机控制的精确性与动态响应速度。同时，该MOSFET也适用于LED背光驱动电路，作为恒流源的开关元件，用于调节LCD屏幕亮度。在热插拔电路设计中，该器件可用于防止浪涌电流冲击，保护后级电路安全。
　　由于其支持逻辑电平驱动（VGS(th)低至1V），因此可以直接由微控制器GPIO引脚驱动，无需额外的电平转换或驱动IC，简化了电路设计并降低成本。这使得它在嵌入式系统、物联网终端节点、传感器供电控制等领域具有广泛应用前景。此外，该器件还可用于过压/过流保护电路、电源多路复用器以及隔离开关等场景，提供灵活且高效的解决方案。