RF03N5R6D250CT 是一款由 Vishay 提供的 N 沤道场效应晶体管(N-Channel MOSFET)。该器件具有低导通电阻和高开关速度,广泛应用于各种电源管理和功率转换电路中。
其采用 TO-252 封装形式,适合表面贴装技术(SMT),在空间受限的应用场景下表现优异。RF03N5R6D250CT 的设计使其成为高效能功率切换的理想选择。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:3.1A
导通电阻:5.6mΩ
栅极电荷:9nC
开关时间:4ns/12ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
RF03N5R6D250CT 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于降低功率损耗并提升整体效率。
2. 快速开关性能,可实现高频应用中的高效运作。
3. 采用 TO-252 封装,支持表面贴装技术,易于自动化生产。
4. 高耐热性,能在极端温度范围内可靠工作。
5. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
这些特性使 RF03N5R6D250CT 成为适用于汽车电子、通信设备及消费类电子产品中的关键元件。
该 MOSFET 主要应用于需要高效功率管理的领域,包括但不限于:
1. 开关电源(Switching Power Supplies)
2. 直流-直流转换器(DC-DC Converters)
3. 负载开关(Load Switches)
4. 电池保护电路(Battery Protection Circuits)
5. 汽车电子控制单元(Automotive Electronic Control Units)
由于其出色的性能,RF03N5R6D250CT 在需要快速开关和低功耗的设计中特别受欢迎。
IRF7407, FDP058N06L