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RF03N3R9B250CT 发布时间 时间:2025/7/11 12:35:46 查看 阅读:11

RF03N3R9B250CT 是一款高性能的射频 (RF) 功率晶体管,专为高频无线通信应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备高增益、高效率和良好的线性度,适用于基站、雷达系统以及其他需要高功率输出的射频放大器电路。其封装形式和电气性能经过优化,以适应苛刻的工作环境。
  该型号中的关键参数可以通过名称分解进行初步了解:RF表示射频用途,03表示工作频率范围或特定系列代号,N3R9代表内部结构及材料特性,B250则通常与最大输出功率或额定电压相关,CT可能是封装类型或温度等级的标识。

参数

最大功率:250W
  工作频率:3GHz - 4GHz
  增益:12dB
  效率:65%
  饱和电流:9A
  电源电压:28V
  封装形式:FLAT-8
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

RF03N3R9B250CT 具备出色的射频性能,能够提供高达 250W 的输出功率,同时保持较高的效率(约 65%)。其增益稳定在 12dB 左右,适用于多级射频放大器设计。此外,该器件采用 FLAT-8 封装形式,具有优良的散热性能,能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
  该晶体管还具备低互调失真和高线性度的特点,使其非常适合于对信号质量要求严格的现代通信系统。通过精心设计的内部结构,RF03N3R9B250CT 在高频段表现出色,并且易于与其他射频组件集成。

应用

RF03N3R9B250CT 广泛应用于各类射频功率放大器场景,包括但不限于:
  1. 基站发射机:用于增强信号覆盖范围。
  2. 雷达系统:提供高功率射频输出以提高探测距离。
  3. 卫星通信设备:支持高数据速率传输。
  4. 测试与测量仪器:作为信号源的一部分,确保精确的射频输出。
  5. 工业加热设备:利用射频能量实现高效加热功能。
  凭借其卓越的性能和可靠性,RF03N3R9B250CT 成为许多高端射频应用的理想选择。

替代型号

RF03N3R9B200CT, RF03N3R9B300CT, RF04N3R9B250CT

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RF03N3R9B250CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格15,000 : ¥0.06424卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3.9 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 大小 / 尺寸0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.013"(0.33mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-