RF03N330J250 是一款高性能的射频功率晶体管,专为高频无线通信应用设计。该器件采用了先进的硅基横向扩散金属氧化物半导体 (LDMOS) 技术制造,具有高输出功率、高增益和高效率的特点。其工作频率范围广泛,适用于多种射频放大器场景,如基站发射机、无线通信设备等。
型号:RF03N330J250
类型:射频功率晶体管
封装形式:陶瓷封装
工作频率范围:30 MHz - 1000 MHz
最大输出功率:50 W(典型值)
增益:15 dB(典型值)
效率:60%(典型值)
电源电压:28 V
最大漏极电流:7 A
热阻:1.5°C/W
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
RF03N330J250 具备以下显著特性:
1. 高效的 LDMOS 工艺,确保了在高功率输出下的稳定性和可靠性。
2. 优化的射频性能,使其在高频段表现出色,适合各种无线通信系统。
3. 内置匹配网络,简化了外部电路设计,降低了设计复杂度。
4. 优异的线性度和抗干扰能力,能够有效减少失真和噪声影响。
5. 良好的散热性能,保证了在高负载条件下的长期运行稳定性。
6. 宽广的工作频率范围,可满足多频段应用需求。
7. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
RF03N330J250 主要应用于以下领域:
1. 无线通信基站中的功率放大器模块。
2. 点对点微波通信系统的射频功率放大。
3. 广播和无线电传输设备。
4. 测试测量仪器中的射频信号源。
5. 军用及航空电子设备中的高可靠性射频放大器。
6. 民用和工业用短波、超短波通信设备。
该器件凭借其卓越的性能和稳定性,成为许多专业级射频应用的理想选择。
RF03N330K250, RF03N330M250, RF04N330J250