RF03N2R2B250CT 是一款高性能的射频功率晶体管,广泛应用于高频放大器、无线通信设备以及射频能量转换系统中。该器件采用先进的硅双极晶体管技术制造,具有出色的线性度和增益性能,同时能够承受较高的输出功率。其设计优化了射频应用中的效率和稳定性,适用于多种工作频率范围。
型号:RF03N2R2B250CT
类型:射频功率晶体管
封装形式:TO-264
集电极-发射极击穿电压(Vce):30 V
最大集电极电流(Ic):10 A
最大耗散功率(Ptot):250 W
频率范围:30 MHz 至 300 MHz
增益带宽积:2 GHz
插入损耗:≤ 2 dB
输入阻抗:50 Ω
存储温度范围:-55℃ 至 +150℃
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
RF03N2R2B250CT 具备高功率处理能力,能够在较宽的频率范围内保持稳定的性能表现。
1. 高功率密度设计使其在小型化封装内提供大功率输出。
2. 内置匹配网络以简化外部电路设计,减少外围元件数量。
3. 出色的热管理能力确保长时间运行时的可靠性。
4. 提供良好的线性度,降低信号失真,适合对信号质量要求高的应用场景。
5. 支持多种调制模式,包括 AM、FM 和数字调制格式。
6. 高增益性能有助于提高系统的整体效率,减少多级放大的需求。
7. 低噪声系数使得其非常适合接收机前端的应用。
8. 宽工作温度范围增强了其在极端环境下的适应性。
RF03N2R2B250CT 广泛应用于以下领域:
1. 射频功率放大器的设计与实现。
2. 无线通信基站及中继设备。
3. 工业、科学和医疗(ISM)频段的能量传输。
4. 测试测量仪器中的信号放大模块。
5. 雷达系统及导航设备。
6. 航空航天领域的高可靠性射频组件。
7. 汽车电子中的短距离通信系统。
8. 卫星通信地面站设备中的功率放大单元。
RF03N2R2B200CT, RF03N2R2B300CT