型号：RF03N2R2B250CT
　　类型：射频功率晶体管
　　封装形式：TO-264
　　集电极-发射极击穿电压（Vce）：30 V
　　最大集电极电流（Ic）：10 A
　　最大耗散功率（Ptot）：250 W
　　频率范围：30 MHz 至 300 MHz
　　增益带宽积：2 GHz
　　插入损耗：≤ 2 dB
　　输入阻抗：50 Ω
　　存储温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　工作温度范围：-40℃ 至 +125℃

RF03N2R2B250CT 具备高功率处理能力，能够在较宽的频率范围内保持稳定的性能表现。
　　1. 高功率密度设计使其在小型化封装内提供大功率输出。
　　2. 内置匹配网络以简化外部电路设计，减少外围元件数量。
　　3. 出色的热管理能力确保长时间运行时的可靠性。
　　4. 提供良好的线性度，降低信号失真，适合对信号质量要求高的应用场景。
　　5. 支持多种调制模式，包括 AM、FM 和数字调制格式。
　　6. 高增益性能有助于提高系统的整体效率，减少多级放大的需求。
　　7. 低噪声系数使得其非常适合接收机前端的应用。
　　8. 宽工作温度范围增强了其在极端环境下的适应性。

RF03N2R2B250CT 广泛应用于以下领域：
　　1. 射频功率放大器的设计与实现。
　　2. 无线通信基站及中继设备。
　　3. 工业、科学和医疗（ISM）频段的能量传输。
　　4. 测试测量仪器中的信号放大模块。
　　5. 雷达系统及导航设备。
　　6. 航空航天领域的高可靠性射频组件。
　　7. 汽车电子中的短距离通信系统。
　　8. 卫星通信地面站设备中的功率放大单元。

RF03N2R2B200CT, RF03N2R2B300CT