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RF03N220J250CT 发布时间 时间:2025/6/29 5:57:56 查看 阅读:3

RF03N220J250CT 是一款高性能的射频功率晶体管,专为高频无线通信应用设计。该器件采用先进的 LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术制造,能够在高频率和高功率条件下提供卓越的性能表现。其主要应用于基站放大器、无线电设备和其他需要高效率射频功率输出的场景。

参数

型号:RF03N220J250CT
  工作频率范围:1.8 GHz 至 2.2 GHz
  最大输出功率:50 W
  增益:14 dB
  电源电压:28 V
  封装形式:TO-270
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
  典型效率:60%
  输入匹配阻抗:50 Ω
  输出匹配阻抗:50 Ω

特性

RF03N220J250CT 具有以下关键特性:
  1. 高效的 LDMOS 工艺确保了出色的线性和效率,在高频段表现出色。
  2. 该器件支持宽泛的工作频率范围,使其适合多种无线通信标准,例如 GSM、CDMA 和 LTE 等。
  3. 内置保护功能,例如过温保护和负载失配保护,提升了产品的可靠性。
  4. 稳定的电气性能使其在各种环境下都能保持一致的表现。
  5. 封装紧凑且易于集成,简化了 PCB 设计流程,并降低了系统复杂性。

应用

RF03N220J250CT 广泛用于以下领域:
  放大器模块。
  2. 专业无线电设备,如对讲机和移动无线电系统。
  3. 测试与测量仪器中的信号发生器或功率放大组件。
  4. 工业、科学和医疗(ISM)频段的射频发射设备。
  5. 雷达系统及其他高功率射频应用。

替代型号

RF03N220K250CT, RF03N220L250CT

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RF03N220J250CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格15,000 : ¥0.16019卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容22 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 大小 / 尺寸0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.013"(0.33mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-