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RF03N180J100CT 发布时间 时间:2025/7/2 17:00:44 查看 阅读:6

RF03N180J100CT 是一款高性能的射频功率晶体管,主要用于高频放大器应用。该器件采用先进的硅双极型晶体管(Si BJT)技术制造,能够在高频条件下提供高增益和高效率。它适用于无线通信、雷达系统以及其他需要高功率射频放大的应用场景。
  这款晶体管具有出色的线性度和稳定性,能够承受较高的射频功率负载,同时保持较低的失真水平。其设计使其在高频段表现出优异的性能,适合要求苛刻的射频应用环境。

参数

集电极-发射极电压:180V
  直流电流:2.4A
  额定输出功率:100W
  频率范围:5MHz 至 30MHz
  增益:20dB
  最大功耗:200W
  封装类型:TO-244

特性

RF03N180J100CT 的主要特性包括:
  1. 高击穿电压:器件可以承受高达180V的电压,确保在高压环境下稳定运行。
  2. 高功率处理能力:支持最高100W的射频输出功率,适用于大功率射频放大器。
  3. 宽频带响应:能够在5MHz至30MHz的频率范围内工作,覆盖多种射频应用需求。
  4. 高效率与低失真:优化的设计使其在高频段具备高效的能量转换和较低的信号失真。
  5. 稳定性强:即使在极端温度或负载变化下,也能保持性能的一致性和可靠性。
  6. 易于集成:标准TO-244封装便于安装和散热管理,简化了系统设计流程。

应用

RF03N180J100CT 广泛应用于以下领域:
  1. 射频功率放大器:在无线通信基站、广播系统和其他高频功率放大场景中发挥关键作用。
  2. 工业加热设备:如无线电频率加热装置中的核心功率元件。
  3. 医疗设备:用于某些医疗仪器中的射频能量传输。
  4. 军事与航空航天:例如雷达系统、卫星通信以及导航设备等。
  5. 测试与测量:为高端测试仪器提供精确的射频信号源。
  由于其强大的功率处理能力和高频性能,RF03N180J100CT 成为许多高要求应用的理想选择。

替代型号

RF03N180J120CT, RF03N180J80CT

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RF03N180J100CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格15,000 : ¥0.09154卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容18 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定10V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 大小 / 尺寸0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.013"(0.33mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-