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RF03N150F250CT 发布时间 时间:2025/11/6 0:31:17 查看 阅读:20

RF03N150F250CT是一款由罗姆半导体(ROHM Semiconductor)生产的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),属于高性能功率MOSFET系列,主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽栅极工艺技术制造,具备低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性,适用于多种工业、消费类及汽车电子系统中的功率控制场景。RF03N150F250CT为N沟道MOSFET,具有较高的耐压能力,额定漏源电压(VDS)为150V,连续漏极电流(ID)在标准条件下可达3A左右,适合中等功率级别的DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统以及开关电源(SMPS)等应用场景。其封装形式为TO-252(DPAK),具备良好的散热性能和机械强度,便于在PCB上进行表面贴装或通过散热片增强热传导。该器件工作温度范围宽,通常支持从-55°C到+150°C的结温操作,确保在严苛环境下的可靠性。此外,RF03N150F250CT还具备较低的栅极电荷(Qg)和输出电容(Coss),有助于减少开关损耗,提升整体系统效率。作为一款工业级或车规级潜在适用的功率器件,它在电磁兼容性(EMC)和长期稳定性方面也经过优化设计,满足现代电子设备对能效和可靠性的严格要求。

参数

型号:RF03N150F250CT
  制造商:ROHM Semiconductor
  器件类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):150V
  最大连续漏极电流(ID):3A @ TC=25°C
  最大脉冲漏极电流(IDM):12A
  最大栅源电压(VGS):±20V
  最大功耗(PD):50W @ TC=25°C
  导通电阻(RDS(on)):典型值 0.15Ω @ VGS=10V, ID=1.5A
  阈值电压(Vth):典型值 2.0V ~ 3.0V
  栅极电荷(Qg):典型值 8.5nC @ VDS=100V, ID=3A
  输入电容(Ciss):典型值 360pF @ VDS=25V
  输出电容(Coss):典型值 110pF @ VDS=25V
  反向恢复时间(trr):无体二极管优化设计,典型值约 25ns
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-252 (DPAK)
  安装方式:表面贴装/通孔辅助散热

特性

RF03N150F250CT采用罗姆先进的沟槽型MOSFET结构,具备优异的导通与开关性能,能够在高频开关环境下保持低损耗运行。其核心优势之一是低导通电阻(RDS(on)),典型值仅为0.15Ω,在VGS=10V条件下可显著降低导通状态下的功率损耗,提高电源系统的整体效率,尤其适用于对能效要求较高的DC-DC变换器和电池供电设备。该器件的栅极电荷(Qg)较低,典型值为8.5nC,意味着驱动电路所需提供的能量更少,有利于减小驱动芯片的负担并提升开关频率上限,从而实现更高频的小型化电源设计。同时,其输入电容(Ciss)和输出电容(Coss)均经过优化,分别为360pF和110pF,有效降低了开关瞬态过程中的电压和电流应力,提升了系统的稳定性和抗干扰能力。
  该MOSFET具备良好的热稳定性与过载承受能力,最大功耗可达50W(在TC=25°C时),配合TO-252封装的优良散热特性,可在较高负载下长时间稳定工作。其宽泛的工作结温范围(-55°C至+150°C)使其适用于包括工业自动化、车载电子在内的多种严苛应用环境。此外,该器件的阈值电压(Vth)在2.0V~3.0V之间,确保了逻辑电平兼容性,可直接由微控制器或PWM控制芯片驱动,无需额外的电平转换电路,简化了系统设计复杂度。ROHM对该产品实施严格的品质管控,符合AEC-Q101等可靠性标准的可能性较高,适合用于汽车电子等高可靠性要求领域。体二极管的反向恢复时间较短(trr≈25ns),减少了反向恢复损耗,避免了因寄生二极管导通引发的额外发热问题,进一步增强了高频应用中的可靠性。

应用

RF03N150F250CT广泛应用于各类中等功率电源系统中,特别是在需要高效能、小型化和高可靠性的场合表现突出。常见应用包括:开关模式电源(SMPS),如AC-DC适配器、DC-DC升压或降压转换器,其中作为主开关管或同步整流管使用,利用其低RDS(on)和快速开关特性提升转换效率;电机驱动电路,例如小型直流电机、步进电机或风扇控制模块,能够承受频繁启停和反向电动势冲击;电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关,凭借其耐压能力和温度稳定性保障电池安全;此外,还可用于LED驱动电源、太阳能逆变器前端开关、工业PLC输出模块、UPS不间断电源以及家用电器中的功率控制单元。由于其封装具备良好散热性能,也适用于需要一定功率密度但空间受限的设计。在汽车电子领域,可能用于车身控制模块、车载充电器或辅助电源系统,前提是确认其通过AEC-Q101认证。总之,该器件适用于任何需要150V耐压等级、3A左右电流承载能力且注重效率与稳定性的功率开关场景。

替代型号

FQP3N150

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RF03N150F250CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格15,000 : ¥0.14798卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容15 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 大小 / 尺寸0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.013"(0.33mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-