时间：2025/4/3 11:06:20
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RF03N0R7B250CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，专为高频开关应用而设计。该器件采用 DFN 封装形式，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效率电源转换器、DC-DC 转换器以及其他高频功率应用。
此型号在高频工作条件下表现出优异的性能，同时具备出色的热稳定性和可靠性，适合对效率和尺寸有严格要求的应用场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：3A
导通电阻：25mΩ
栅极电荷：40nC
开关频率：高达 5MHz
封装形式：DFN5x6
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻，能够显著降低功率损耗，提高整体效率。
2. 快速开关速度，支持高频操作，从而减小无源元件（如电感、电容）的体积。
3. 出色的热性能，确保在高温环境下仍能保持稳定运行。
4. 高度集成的封装设计，有助于简化 PCB 布局并减少寄生效应。
此外，该器件还具有良好的电磁兼容性（EMC），非常适合对噪声敏感的环境。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 无线充电模块
4. 激光雷达驱动电路
5. 充电器和适配器
6. 电动工具及消费类电子设备中的高效电源管理解决方案。
由于其高频特性和高效率，RF03N0R7B250CT 在小型化和轻量化设计中具有显著优势。
RF03N0R7B250CS, RF03N0R7B200CT
