您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > RF03N0R1B500CT

RF03N0R1B500CT 发布时间 时间:2025/6/29 5:53:46 查看 阅读:3

RF03N0R1B500CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管,适用于高频和高效率的电力电子应用。该器件采用了先进的封装设计以优化散热性能,并支持高开关频率下的低损耗运行。其主要用途包括电源适配器、无线充电设备、太阳能逆变器以及数据中心电源系统。
  这款芯片具有出色的热稳定性和电气特性,能够在紧凑的设计中提供高性能表现。由于 GaN 材料的固有优势,RF03N0R1B500CT 可实现更高的工作频率和更低的导通电阻,从而提高整体系统效率并减小解决方案尺寸。

参数

型号:RF03N0R1B500CT
  类型:增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)
  导通电阻(典型值):50 mΩ
  击穿电压:650 V
  最大漏极电流:3 A
  栅极电荷:4.2 nC
  输入电容:1350 pF
  输出电容:380 pF
  反向恢复时间:无(零反向恢复)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:TO-252 (DPAK)

特性

RF03N0R1B500CT 的核心特性在于利用了氮化镓材料的独特性质,实现了卓越的开关性能和效率提升。
  1. 超低导通电阻:在高电流条件下,降低功耗,提高效率。
  2. 高频操作能力:支持 MHz 级别的开关频率,允许使用更小的磁性元件和滤波器,从而缩小整体体积。
  3. 快速开关速度:得益于零反向恢复特性,减少了开关损耗。
  4. 热管理优化:通过高效的散热设计,即使在高负载下也能保持稳定的性能。
  5. 简化的驱动需求:与传统硅 MOSFET 相比,RF03N0R1B500CT 对驱动电路的要求更低,易于集成到现有系统中。
  6. 强大的耐用性:经过严格的测试验证,确保长期可靠性。

应用

RF03N0R1B500CT 广泛应用于需要高效功率转换的领域,具体包括:
  1. 快速充电器和适配器:为手机、笔记本电脑等便携式设备提供快速充电功能。
  2. 数据中心电源:实现更高密度的供电单元,减少能源浪费。
  3. 太阳能微型逆变器:将光伏电池板产生的直流电高效地转化为交流电。
  4. 无线电力传输:用于非接触式充电站或电动汽车无线充电系统。
  5. 消费类电子产品:例如音频放大器、LED 驱动器等对效率敏感的应用场景。

替代型号

RF03N0R1B500CS, RF03N0R1B500DS

RF03N0R1B500CT推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

RF03N0R1B500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格15,000 : ¥0.06905卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.1 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 大小 / 尺寸0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.013"(0.33mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-