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RF03N0R1B250CT 发布时间 时间:2025/7/12 15:27:03 查看 阅读:13

RF03N0R1B250CT 是一款射频功率晶体管,主要用于无线通信、射频放大器和其他高频应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺,能够提供高增益和高效率的射频信号放大功能。
  这款晶体管在设计时充分考虑了高线性度和稳定性,适用于基站、中继器以及其他需要高性能射频放大的设备。其出色的热性能和可靠性也使得它能够在恶劣环境下长期稳定工作。

参数

最大集电极功耗:25W
  频率范围:DC 至 3GHz
  增益:18dB
  饱和漏极电流:3A
  击穿电压:30V
  封装形式:TO-263

特性

RF03N0R1B250CT 具有以下显著特点:
  1. 高输出功率能力,在高频条件下仍能保持稳定的性能。
  2. 出色的线性度和低互调失真,适合要求严格的通信系统。
  3. 内置匹配网络,简化了外部电路设计并提高了整体效率。
  4. 良好的热管理设计,确保长时间运行下的可靠性和耐用性。
  5. 支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和装配。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际规范的要求。

应用

该晶体管广泛应用于多种射频和微波领域,包括但不限于:
  1. 无线基础设施,如蜂窝基站和小基站中的功率放大器模块。
  2. 中继器和直放站设备中的射频信号增强。
  3. 测试测量仪器,例如频谱分析仪或信号发生器。
  4. 工业、科学及医疗 (ISM) 频段设备的功率放大。
  5. 卫星通信系统以及军事雷达系统的射频前端部分。

替代型号

RF03N0R1B200CT, RF03N0R1C250CT

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RF03N0R1B250CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格15,000 : ¥0.05942卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.1 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 大小 / 尺寸0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.013"(0.33mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-