时间：2025/6/28 12:58:21
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RE1C001ZPTL 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，支持表面贴装封装（SOT-23），非常适合对空间要求严格的电路设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
持续漏极电流（Id）：1.5A
导通电阻（Rds(on)）：0.8Ω（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷（Qg）：7nC（典型值）
总功耗（Ptot）：420mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
RE1C001ZPTL 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 高开关速度，适用于高频应用环境。
3. 小尺寸 SOT-23 封装，节省 PCB 空间。
4. 支持宽温度范围，适应多种工作环境。
5. 良好的热稳定性和可靠性，适合长时间运行的应用场景。
6. 提供卓越的电气性能，确保在各种条件下的稳定表现。
该器件适用于广泛的电子应用领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的开关元件。
2. 直流电机控制和驱动电路。
3. 负载开关和保护电路。
4. LED 驱动器和调光控制。
5. 电池管理系统的充放电控制。
6. 便携式电子设备中的功率管理模块。
其紧凑的封装形式和高效性能使其成为现代电子设备的理想选择。
RE1C001ZPML
RE1C001ZPKL
