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RDS035L03-TB 发布时间 时间:2025/7/1 19:49:03 查看 阅读:12

RDS035L03-TB 是一款基于 MOSFET 技术的功率器件,属于 N 沟道增强型场效应晶体管。该芯片设计用于低导通电阻和高效率开关应用,广泛应用于汽车电子、工业控制以及消费类电子产品领域。其封装形式为 TO-263(DPAK),能够满足大电流需求的同时具备良好的散热性能。
  该型号以其卓越的电气特性著称,包括极低的导通电阻(Rds(on))和出色的开关速度。此外,它在高温环境下的稳定性也使其成为许多严苛应用场景的理想选择。

参数

型号:RDS035L03-TB
  类型:N沟道MOSFET
  封装:TO-263 (DPAK)
  最大漏源电压(Vdss):40V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):70A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ @ Vgs=10V
  功耗(Ptot):28W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装尺寸:5x6.5mm

特性

RDS035L03-TB 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(3.5mΩ),显著降低了导通损耗,提升了整体系统效率。
  2. 高额定电流能力(70A),适用于高功率密度的应用场景。
  3. 宽广的工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),能够在极端环境下保持稳定运行。
  4. 快速开关特性,适合高频开关电源和电机驱动等应用。
  5. 具备强大的抗雪崩能力,增强了器件的可靠性。
  6. 封装形式采用 DPAK,具备良好的热管理和电气性能。
  这些特性使得 RDS035L03-TB 成为高效功率转换、电机驱动、负载切换等领域中的首选解决方案。

应用

RDS035L03-TB 被广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. 电动车辆和混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)及电机控制器。
  3. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
  4. LED 照明驱动电路。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
  6. 各种消费类电子产品的快速充电适配器。
  由于其高性能和高可靠性,这款芯片尤其适合需要频繁开关操作和高温工作的场合。

替代型号

RFP50N06LE, IRFZ44N, FDP18N06L

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