时间：2025/7/16 18:02:22
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RDDW20UW-12 是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，专为高功率应用设计。该模块采用先进的硅技术，具有优异的导通和开关性能，适用于工业电机驱动、逆变器、电力转换系统等领域。RDDW20UW-12 的设计旨在提供高可靠性和高效能，适用于需要高电流和高电压能力的场合。
类型：IGBT模块
集电极-发射极电压（Vce）：1200V
额定集电极电流（Ic）：20A
短路电流能力：40A（100μs）
工作温度范围：-40°C至+150°C
封装类型：双列直插式（DIP）
绝缘等级：加强绝缘
最大耗散功率：150W
RDDW20UW-12 IGBT模块具有多项先进特性，包括高电流密度、低导通压降和快速开关速度。其优化的芯片设计确保了低开关损耗，从而提高了整体系统效率。此外，该模块具备良好的热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。内置的短路保护功能增强了模块的可靠性，使其能够在恶劣的电气环境中工作。该模块还采用了高绝缘材料，确保了在高电压应用中的安全性。
RDDW20UW-12的封装设计考虑了机械强度和热管理，使其在高温环境下仍能保持良好的性能。其双列直插式封装便于安装和散热，适用于多种电路设计。该模块还具备良好的抗振动和抗冲击能力，适合工业和汽车电子等高要求应用。
RDDW20UW-12 IGBT模块广泛应用于各种高功率电子设备，包括工业电机驱动、变频器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统。由于其高可靠性和高效能特性，该模块也常用于电焊机、感应加热系统和电力传输控制设备。此外，该模块还适用于需要高电压和高电流能力的自动化控制和电机控制应用，确保系统在高负载条件下稳定运行。
SKM20GB12T4, FF20R12KE4_B11
