型号：RDD050N20
　　制造商：onsemi
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：200 V
　　最大连续漏极电流（ID @ 25°C）：50 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：200 A
　　最大栅源电压（VGSS）：±30 V
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = 10 V：典型值 47 mΩ，最大值 50 mΩ
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V：最大值 65 mΩ
　　栅极电荷（Qg）：典型值 98 nC
　　输入电容（Ciss）：典型值 4500 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 47 ns
　　二极管正向电流（IS）：50 A
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +175 °C
　　封装类型：D2PAK (TO-263)
　　安装类型：表面贴装

RDD050N20采用安森美独有的SuperFET?技术，这是一种基于电荷平衡原理的高压MOSFET制造工艺，能够突破传统平面型MOSFET在导通电阻与击穿电压之间的权衡限制。通过在漂移区引入精确掺杂的P型柱状结构，与N型外延层形成电荷补偿效应，在器件关断状态下有效提高耗尽层的扩展能力，从而实现更高的击穿电压；而在导通状态下则显著降低单位面积下的导通电阻（RDS(on)）。这一技术使得RDD050N20在200V额定电压下仍能达到低于50mΩ的低导通电阻，极大减少了传导损耗，尤其在大电流应用场景中表现优异。
　　该器件具有出色的开关性能，得益于优化的栅极结构设计和较低的栅极电荷（Qg典型值为98nC），使其在高频开关电路中能够快速开启和关断，减少开关延迟时间和过渡过程中的能量损耗。同时，其输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）均经过精心调控，有助于降低驱动功耗并提升系统的整体效率。此外，RDD050N20内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr典型值47ns），可有效抑制因二极管反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI），特别适用于硬开关拓扑如LLC谐振转换器、有源钳位反激等对动态响应要求较高的场合。
　　热性能方面，D2PAK封装提供了较大的焊盘接触面积，有利于将芯片产生的热量高效传导至PCB，配合适当的散热设计可支持长时间满载运行。器件的工作结温最高可达+175°C，并具备良好的热稳定性，确保在高温工业环境或密闭空间内依然可靠工作。此外，RDD050N20通过AEC-Q101认证，表明其在温度循环、机械冲击、湿度敏感度等方面均满足汽车级应用的严苛标准，可用于车载充电系统、DC-DC转换模块等对长期可靠性要求极高的领域。综合来看，该器件在导通损耗、开关速度、热管理及可靠性之间实现了良好平衡，是中高压功率转换应用的理想选择。

RDD050N20广泛应用于各类中高压直流电源转换系统中。在通信电源和服务器电源领域，常用于PFC（功率因数校正）升压级或主功率开关，利用其低导通电阻和高效率特性来提升整机能效等级，满足80 PLUS钛金等高标准要求。在工业电源系统中，该器件适用于宽输入范围的AC-DC适配器、UPS不间断电源以及焊接设备中的功率开关模块，提供稳定的高功率输出能力。
　　在新能源相关应用中，RDD050N20可用于光伏逆变器的直流侧开关单元，或储能系统的双向DC-DC变换器中作为主控开关，凭借其高耐压和低损耗优势提升系统转换效率。此外，在电动汽车的车载充电机（OBC）和辅助电源模块中也有潜在应用，尤其是在需要满足汽车级可靠性标准的设计中，其AEC-Q101认证成为关键加分项。
　　照明电源方面，该器件适用于大功率LED驱动电源，特别是在高频调光和恒流控制电路中表现出色。由于其快速开关能力和较低的EMI特性，有助于简化滤波电路设计，减小整体体积。在电机驱动领域，RDD050N20可用于中功率BLDC（无刷直流电机）或步进电机的H桥驱动电路中，承担主功率开关功能，实现高效、平稳的转矩控制。
　　此外，该器件还可用于感应加热、医疗电源、测试仪器等对电源质量和稳定性要求较高的专业设备中，作为核心开关元件发挥关键作用。其多功能性和高可靠性使其成为现代电力电子系统中不可或缺的组件之一。

NTMFS5C452NL
　　FQP20N20M
　　STP20NM50FD
　　IPB042N20N3