时间：2025/11/8 10:18:43
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RDD020N60TL是一款由安森美（onsemi）推出的高性能高压MOSFET晶体管，专为高效率开关电源应用设计。该器件采用先进的超级结（Super Junction）技术制造，能够在600V的高漏源电压下实现极低的导通电阻和优异的开关性能。其典型应用场景包括服务器电源、电信整流器、工业电源系统以及PFC（功率因数校正）电路等需要高效能功率转换的领域。RDD020N60TL通过优化栅极电荷和输出电容，显著降低了开关损耗，从而提升了整体系统效率，并有助于实现更紧凑的散热设计。该MOSFET采用TO-247封装，具备良好的热传导能力和高可靠性，适用于严苛的工作环境。此外，它还集成了快速体二极管，能够有效处理反向电流，在硬开关和软开关拓扑中均表现出色。这款器件符合RoHS环保标准，并具有高雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压情况下的鲁棒性。
型号：RDD020N60TL
制造商：onsemi（安森美）
器件类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：600 V
最大漏极电流（ID）：17 A @ 25°C，11 A @ 100°C
导通电阻（RDS(on)）：0.2 Ω 最大值 @ VGS = 10 V
栅极阈值电压（VGS(th)）：3.0 V ~ 4.5 V
栅极电荷（Qg）：47 nC 典型值 @ VDS = 480 V
输入电容（Ciss）：1900 pF 典型值 @ VDS = 50 V
输出电容（Coss）：130 pF 典型值 @ VDS = 50 V
反向恢复时间（trr）：25 ns 典型值
最大工作结温（Tj）：150 °C
封装形式：TO-247
RDD020N60TL采用安森美先进的超级结MOSFET技术，这种结构通过在漂移区交替排列P型和N型柱状区域，打破了传统硅基MOSFET的“硅极限”，实现了在600V高耐压条件下极低的导通电阻。这一特性极大降低了导通状态下的功率损耗，特别是在大电流工作环境下，有助于提升电源系统的整体能效。该器件的典型RDS(on)仅为0.2Ω，在同类高压MOSFET中表现出色，可减少发热并降低对散热器的要求，有利于实现更高功率密度的设计。
在动态性能方面，RDD020N60TL优化了栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），使其在高频开关应用中表现优异。较低的Qg意味着驱动电路所需提供的电荷更少，从而降低了驱动损耗并允许使用更小的驱动芯片；而低Coss则减少了开关过程中的能量损耗，尤其是在关断瞬间。这两项参数的协同优化显著减小了开关损耗，使器件非常适合用于工作频率较高的PFC升压电路和LLC谐振转换器等拓扑结构。
此外，RDD020N60TL内置的快速体二极管具有较短的反向恢复时间（trr约为25ns），能够有效抑制反向恢复电流尖峰和相关的电磁干扰（EMI）。这对于防止桥式电路中发生直通故障至关重要，并且提高了系统在硬开关条件下的可靠性。器件的最大工作结温可达150°C，具备良好的热稳定性，并通过了高雪崩能量测试，展现出卓越的耐用性和抗过载能力。TO-247封装提供了优良的热传导路径和电气连接可靠性，适合高功率应用中的长期稳定运行。
RDD020N60TL广泛应用于各类高效率、高功率密度的开关电源系统中。其主要应用之一是连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CrM）的功率因数校正（PFC）电路，作为升压开关管使用，能够显著提高AC-DC转换效率并满足严格的能效标准如80 PLUS Titanium等级要求。在服务器电源、通信电源和工业级电源模块中，该器件常被用于主功率转换级，例如在半桥或全桥拓扑中承担高频开关任务。由于其出色的动态特性和低损耗表现，也适用于LLC谐振变换器的一次侧开关管，帮助实现零电压开关（ZVS），进一步降低开关损耗。此外，RDD020N60TL还可用于太阳能逆变器、UPS不间断电源、电动车辆充电设备以及其他需要高压直流开关功能的工业控制系统中。得益于其高可靠性和强健的封装设计，即使在高温、高湿或存在电压瞬变的恶劣环境中也能保持稳定运行，因此特别适合对系统寿命和稳定性有严苛要求的应用场景。
STW20NK60Z, FCH20N60L,FQP20N60L
