时间：2025/12/25 11:34:34
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RD3P130SPTL1是一款由Rohm Semiconductor生产的P沟道功率MOSFET，采用先进的Trench结构技术制造，专为高效率电源管理和开关应用设计。该器件封装在小型且高效的贴片式PowerSSOP封装中，适合空间受限的应用场景。作为一款低导通电阻、低阈值电压的MOSFET，RD3P130SPTL1能够在较低的栅极驱动电压下实现高效的导通控制，适用于电池供电设备、便携式电子产品以及需要节能和高可靠性的系统。其主要特点包括低漏电流、高耐压能力以及良好的热稳定性，能够在恶劣的工作环境下保持稳定性能。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适合现代绿色电子产品的制造需求。由于其优异的电气特性和紧凑的封装形式，RD3P130SPTL1被广泛应用于负载开关、DC-DC转换器、电机驱动电路以及其他需要高效能P沟道MOSFET的场合。
型号：RD3P130SPTL1
制造商：Rohm Semiconductor
器件类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：-30V
最大连续漏极电流（ID）：-1.3A（@VGS = -4.5V）
最大脉冲漏极电流（IDM）：-2.6A
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻RDS(on)：45mΩ（@VGS = -4.5V）；60mΩ（@VGS = -2.5V）
阈值电压VGS(th)：-1.0V ~ -2.0V
输入电容Ciss：470pF（@VDS = -15V, VGS = 0V）
输出电容Coss：180pF
反向传输电容Crss：40pF
栅极电荷Qg：7.5nC（@VDS = -15V, ID = -1.3A）
功耗PD：1W（Ta=25℃）；4W（Tc=25℃）
工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装类型：PowerSSOP（PSP）
安装类型：表面贴装SMD
RD3P130SPTL1具备多项先进特性，使其在同类P沟道MOSFET中表现出色。首先，其采用的Trench结构技术显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。在VGS = -4.5V时，RDS(on)仅为45mΩ，在更低的驱动电压VGS = -2.5V下也能维持60mΩ的低阻水平，这使得它非常适合用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的应用，无需额外的电平转换电路。
其次，该器件具有较宽的安全工作区（SOA），能够承受瞬态过载和浪涌电流，提升了系统的可靠性。其-30V的漏源击穿电压足以覆盖大多数低压直流电源系统的需求，如12V或24V工业控制系统中的电源切换。同时，器件的阈值电压范围控制在-1.0V至-2.0V之间，确保了良好的开启一致性，并避免了因阈值漂移导致的误动作问题。
再者，RD3P130SPTL1的封装采用PowerSSOP形式，不仅体积小巧，节省PCB空间，还具备优良的散热性能，有助于将内部产生的热量快速传导至PCB，提升长期运行的稳定性。该封装支持回流焊工艺，适合自动化生产流程。此外，器件内部寄生参数经过优化设计，输入电容、输出电容和反向传输电容均处于合理范围，有利于减少开关过程中的振荡与电磁干扰，提高高频开关应用中的响应速度和平滑性。
最后，该MOSFET具备出色的温度稳定性，即使在高温环境下仍能保持稳定的电气特性。其最大结温可达150℃，满足严苛环境下的使用要求。综合来看，RD3P130SPTL1是一款集低功耗、高效率、小尺寸和高可靠性于一体的高性能P沟道MOSFET，适用于对电源管理有严格要求的现代电子设备。
RD3P130SPTL1广泛应用于多种电源管理与开关控制场景。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源开关模块，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中用于控制电池供电路径的负载开关。由于其低导通电阻和低驱动电压特性，非常适合用于电池供电系统以延长续航时间。
在DC-DC转换器中，该器件常被用作同步整流器或高端开关，配合N沟道MOSFET实现高效的电压转换。其快速开关能力和低栅极电荷有助于减少开关损耗，提升转换效率，尤其适用于降压型（Buck）转换器拓扑结构。
此外，RD3P130SPTL1也适用于电机驱动电路中的H桥控制部分，作为P沟道侧的上桥臂开关元件，提供简洁的驱动方式，简化电路设计。在工业控制领域，可用于继电器驱动、LED驱动电源、传感器供电控制等需要精确电源通断管理的场合。
由于其符合RoHS标准且无卤素，该器件也适用于医疗设备、通信终端和汽车电子外围电路等对环保和可靠性要求较高的行业。总之，凡是需要高效、小型化、低功耗P沟道MOSFET的地方，RD3P130SPTL1都是一个理想的选择。
Si3463DV-T1-E3
