RD3L140SPTL1是一款由Renesas Electronics公司推出的高效、高可靠性MOSFET功率晶体管,适用于高功率应用。该器件采用先进的沟槽技术,确保了优异的导通和开关性能。RD3L140SPTL1的封装形式为TO-252(DPak),适用于表面贴装技术,便于在各种电子设备中集成。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):40A
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):最大值为9.5mΩ(在VGS=10V时)
工作温度范围:-55°C至150°C
封装:TO-252(DPak)
RD3L140SPTL1是一款专为高效功率管理设计的MOSFET晶体管,其核心特性之一是其低导通电阻(RDS(on)),这确保了在大电流应用中减少功率损耗和发热。该器件的沟槽式MOSFET技术使其能够在高电流负载下保持稳定的性能,同时降低热阻,提高整体效率。
此外,RD3L140SPTL1具备较高的耐压能力,最大漏源电压(VDS)达到30V,适合需要高稳定性的功率转换应用。栅源电压范围为±20V,这为设计人员提供了更大的灵活性,能够适应多种栅极驱动电路的需求。
该MOSFET的封装形式为TO-252(DPak),不仅适合表面贴装技术,还具有良好的散热性能,有助于在高功率密度设计中实现紧凑的PCB布局。RD3L140SPTL1的工作温度范围为-55°C至150°C,确保了其在各种恶劣环境下的可靠运行。
该器件还具有快速开关特性,能够有效降低开关损耗,从而提高整体系统的能效。这一特性使其特别适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等应用。RD3L140SPTL1的高可靠性和优异的热性能使其成为汽车电子、工业自动化和消费类电子设备中的理想选择。
RD3L140SPTL1适用于多种高功率电子应用,包括但不限于以下领域:
1. **电源管理**:在开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和稳压器中作为高效的功率开关器件,提供稳定的电压和电流控制。
2. **电机控制**:在电机驱动器和电动工具中作为功率开关,确保高效和可靠的电机运行。
3. **汽车电子**:用于车载充电系统、电池管理系统(BMS)以及汽车照明控制,满足汽车行业的高可靠性要求。
4. **工业自动化**:在工业控制设备和自动化系统中,作为高功率开关,支持高效能和长寿命的设计需求。
5. **消费类电子产品**:例如高功率充电器、电源适配器以及便携式设备的电源管理模块,提升设备的整体能效。
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