您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > RD3L140SPTL1

RD3L140SPTL1 发布时间 时间:2025/8/2 6:50:02 查看 阅读:29

RD3L140SPTL1是一款由Renesas Electronics公司推出的高效、高可靠性MOSFET功率晶体管,适用于高功率应用。该器件采用先进的沟槽技术,确保了优异的导通和开关性能。RD3L140SPTL1的封装形式为TO-252(DPak),适用于表面贴装技术,便于在各种电子设备中集成。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):40A
  最大漏源电压(VDS):30V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):最大值为9.5mΩ(在VGS=10V时)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装:TO-252(DPak)

特性

RD3L140SPTL1是一款专为高效功率管理设计的MOSFET晶体管,其核心特性之一是其低导通电阻(RDS(on)),这确保了在大电流应用中减少功率损耗和发热。该器件的沟槽式MOSFET技术使其能够在高电流负载下保持稳定的性能,同时降低热阻,提高整体效率。
  此外,RD3L140SPTL1具备较高的耐压能力,最大漏源电压(VDS)达到30V,适合需要高稳定性的功率转换应用。栅源电压范围为±20V,这为设计人员提供了更大的灵活性,能够适应多种栅极驱动电路的需求。
  该MOSFET的封装形式为TO-252(DPak),不仅适合表面贴装技术,还具有良好的散热性能,有助于在高功率密度设计中实现紧凑的PCB布局。RD3L140SPTL1的工作温度范围为-55°C至150°C,确保了其在各种恶劣环境下的可靠运行。
  该器件还具有快速开关特性,能够有效降低开关损耗,从而提高整体系统的能效。这一特性使其特别适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等应用。RD3L140SPTL1的高可靠性和优异的热性能使其成为汽车电子、工业自动化和消费类电子设备中的理想选择。

应用

RD3L140SPTL1适用于多种高功率电子应用,包括但不限于以下领域:
  1. **电源管理**:在开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和稳压器中作为高效的功率开关器件,提供稳定的电压和电流控制。
  2. **电机控制**:在电机驱动器和电动工具中作为功率开关,确保高效和可靠的电机运行。
  3. **汽车电子**:用于车载充电系统、电池管理系统(BMS)以及汽车照明控制,满足汽车行业的高可靠性要求。
  4. **工业自动化**:在工业控制设备和自动化系统中,作为高功率开关,支持高效能和长寿命的设计需求。
  5. **消费类电子产品**:例如高功率充电器、电源适配器以及便携式设备的电源管理模块,提升设备的整体能效。

替代型号

R6004END、FDMS86180、SiR144DP、FDMS86180、IPB036N04NG

RD3L140SPTL1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

RD3L140SPTL1参数

  • 现有数量5,764现货
  • 价格1 : ¥13.67000剪切带(CT)2,500 : ¥5.78473卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)14A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)84 毫欧 @ 14A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)27 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1900 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)20W(Tc)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63