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RD3L050SNTL1 发布时间 时间:2025/5/30 19:00:55 查看 阅读:11

RD3L050SNTL1是一款高性能的MOSFET功率晶体管,采用先进的半导体制造工艺。该器件适用于高效率、高速开关应用场合,能够提供较低的导通电阻和较高的电流承载能力。其封装形式为TO-263(DPAK),具备良好的散热性能。
  这款MOSFET属于N沟道增强型器件,主要应用于电源管理、电机驱动、负载开关以及DC-DC转换器等领域。其设计优化了动态性能和静态性能之间的平衡,从而在各种应用场景中表现出色。

参数

最大漏源电压:50V
  连续漏极电流:34A
  导通电阻(典型值):1.8mΩ
  栅极电荷(典型值):12nC
  输入电容:1370pF
  反向恢复时间:30ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

RD3L050SNTL1具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 高电流处理能力,适合大功率应用。
  3. 快速开关速度,可减少开关损耗。
  4. 优异的热稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全。
  6. 良好的抗雪崩能力和耐用性,提高了整体系统的可靠性。
  7. 封装紧凑,便于PCB布局设计。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机控制和驱动
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 汽车电子设备中的负载切换
  6. 工业自动化中的功率控制模块
  7. 各类消费电子产品中的高效功率转换解决方案

替代型号

IRL3803PBF, FDP5560, AO3400

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RD3L050SNTL1参数

  • 现有数量1现货
  • 价格1 : ¥10.26000剪切带(CT)2,500 : ¥4.53144卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)109 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)8 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)290 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)15W(Tc)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63