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RD3L03BATTL1 发布时间 时间:2025/6/18 22:43:07 查看 阅读:3

RD3L03BATTL1是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率转换芯片,专为快充适配器、电源管理模块以及便携式电子设备设计。该芯片集成了高频开关功能和高耐压性能,支持高达20V的工作电压范围,能够显著提升充电效率并降低发热。同时,它采用小型化的QFN封装,适合对空间要求严格的现代电子产品。
  该芯片内置了多种保护机制,包括过流保护(OCP)、过温保护(OTP)、短路保护(SCP工作条件下的可靠性。此外,其低栅极电荷和优化的Rds(on)特性使得开关损耗降到最低,非常适合高频AC-DC或DC-DC转换应用。

参数

型号:RD3L03BATTL1
  封装形式:QFN 5x6mm
  最大输入电压:24V
  输出电流:3A
  Rds(on):75mΩ(典型值)
  工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
  开关频率:高达1MHz
  静态功耗:小于10uA
  保护功能:过流保护、过温保护、短路保护

特性

1. 氮化镓(GaN)材料,提供更高的效率和更快的开关速度。
  2. 内置驱动器和控制器,简化外部元件需求。
  3. 高达1MHz的开关频率,允许使用更小的磁性元件和电容器。
  4. 极低的导通电阻(Rds(on)),减少传导损耗。
  5. 支持CC/CV模式,适用于USB-PD和QC协议的快速充电方案。
  6. 提供全面的保护功能,增强系统稳定性与安全性。
  7. 小型化封装设计,节省PCB空间。

应用

1. USB-C/PD快充适配器
  2. 笔记本电脑及平板电脑电源
  3. 智能手机和平板充电解决方案
  4. 车载充电器
  5. 移动电源和其他便携式电池管理系统
  6. 工业级高效率DC-DC转换器
  7. 小型化消费类电子产品的电源模块

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RD3L03BATTL1参数

  • 现有数量1,712现货
  • 价格1 : ¥11.92000剪切带(CT)2,500 : ¥5.06021卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)35A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)41 毫欧 @ 35A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)37 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1930 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)56W(Ta)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63