RD3L03BATTL1是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率转换芯片,专为快充适配器、电源管理模块以及便携式电子设备设计。该芯片集成了高频开关功能和高耐压性能,支持高达20V的工作电压范围,能够显著提升充电效率并降低发热。同时,它采用小型化的QFN封装,适合对空间要求严格的现代电子产品。
该芯片内置了多种保护机制,包括过流保护(OCP)、过温保护(OTP)、短路保护(SCP工作条件下的可靠性。此外,其低栅极电荷和优化的Rds(on)特性使得开关损耗降到最低,非常适合高频AC-DC或DC-DC转换应用。
型号:RD3L03BATTL1
封装形式:QFN 5x6mm
最大输入电压:24V
输出电流:3A
Rds(on):75mΩ(典型值)
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
开关频率:高达1MHz
静态功耗:小于10uA
保护功能:过流保护、过温保护、短路保护
1. 氮化镓(GaN)材料,提供更高的效率和更快的开关速度。
2. 内置驱动器和控制器,简化外部元件需求。
3. 高达1MHz的开关频率,允许使用更小的磁性元件和电容器。
4. 极低的导通电阻(Rds(on)),减少传导损耗。
5. 支持CC/CV模式,适用于USB-PD和QC协议的快速充电方案。
6. 提供全面的保护功能,增强系统稳定性与安全性。
7. 小型化封装设计,节省PCB空间。
1. USB-C/PD快充适配器
2. 笔记本电脑及平板电脑电源
3. 智能手机和平板充电解决方案
4. 车载充电器
5. 移动电源和其他便携式电池管理系统
6. 工业级高效率DC-DC转换器
7. 小型化消费类电子产品的电源模块