型号：RD28F6408W30T70
　　制造商：Intel
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：64 Mbit (8 MB)
　　组织结构：8M x 8 / 4M x 16
　　工艺技术：StrataFlash MLC 技术
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　访问时间：70 ns
　　封装类型：48-pin TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　编程/擦除电压：内部电荷泵生成
　　总线宽度：可配置为8位或16位模式
　　擦写次数：≥ 100,000 次
　　数据保持时间：≥ 20 年
　　接口类型：异步并行接口
　　待机电流：≤ 100 μA
　　读取电流：≤ 20 mA
　　编程电流：≤ 30 mA

RD28F6408W30T70具备多项先进特性，使其成为嵌入式系统中理想的代码存储解决方案。首先，其采用的StrataFlash MLC技术不仅提升了单位面积的存储密度，还通过优化编程算法实现了接近传统单级单元（SLC）闪存的可靠性水平。每个存储单元可存储多位信息，从而在不增加物理尺寸的前提下提高了整体容量，降低了每比特成本，特别适合需要大容量固件存储但预算受限的应用场景。
　　其次，该芯片支持硬件写保护功能，可通过特定引脚（如BYTE#或WP#）实现对部分或全部存储区域的锁定，防止意外写入或擦除操作，增强系统安全性。它还集成了内建的擦除和编程状态检测机制，允许主机处理器通过查询状态寄存器来判断操作是否完成，避免盲目等待，提升系统效率。此外，RD28F6408W30T70支持块擦除架构，将整个存储空间划分为多个独立可擦除的扇区（sector），便于实现分区管理和现场固件升级（in-field firmware update）。
　　另一个重要特性是其卓越的环境适应能力。该器件经过严格测试，可在宽温范围内稳定工作，适用于极端工业环境。其TSOP封装具有良好的抗振动和热循环性能，适合长时间连续运行的设备。同时，芯片内置电压监测电路，能自动识别供电异常并在电源不稳定时暂停敏感操作，防止数据损坏。最后，Intel为其提供了完整的软件支持包，包括驱动程序、烧录工具和应用笔记，极大简化了开发流程，缩短产品上市周期。

RD28F6408W30T70广泛应用于多种需要高可靠性非易失性存储的领域。在通信基础设施中，常用于路由器、交换机和基站控制器中存储启动代码（boot code）、操作系统镜像及配置参数，因其快速随机读取能力可加快系统启动速度。在工业自动化领域，该芯片被集成于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块中，用于保存用户程序、校准数据和运行日志，确保断电后信息不丢失。
　　消费类电子中的高端打印机、多功能一体机也采用此类闪存来存储固件和字体库，支持快速打印初始化和动态内容加载。在医疗设备方面，如便携式监护仪、超声成像系统等，该芯片用于保存设备校准曲线、操作协议和患者设置信息，满足医疗器械对数据完整性和安全性的严苛要求。此外，在车载信息系统、车载导航主机和ECU（电子控制单元）中，RD28F6408W30T70可用于存储地图数据、诊断程序和车辆配置信息，具备较强的抗电磁干扰和温度波动能力。
　　由于其支持代码直接执行（XIP, eXecute In Place）特性，处理器可以直接从该NOR闪存中读取指令并执行，无需将程序加载到RAM，从而节省内存资源并简化系统架构。这一优势使其在资源受限的嵌入式微控制器系统中尤为受欢迎。同时，该芯片兼容JEDEC标准接口规范，便于替换和系统升级，降低了设计复杂度和维护成本。

S29GL064N90TF1010
　　MT28EW64AABA
　　IS25LP640D-FB