类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：100V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A
　　最大正向电压（VF）：850mV（@ IF=1A, TJ=25°C）
　　最大反向电流（IR）：100μA（@ VR=100V, TJ=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DFN2520-10

RD100HHF1C的核心优势在于其采用ROHM独有的HMS（Hyper Mobile Schottky）技术，这项技术通过优化金属-半导体界面结构和引入特定的掺杂工艺，有效解决了传统肖特基二极管在高压应用中常见的反向漏电流大和热稳定性差的问题。在100V耐压等级下，该器件实现了低于传统SBD的漏电流水平，同时保持了接近甚至优于同类产品的正向导通压降。这种性能平衡使得RD100HHF1C能够在高效率电源转换系统中发挥关键作用，尤其是在需要频繁开关或长时间工作的场合。
　　该器件在高温环境下的表现尤为突出。当结温升高至125°C或更高时，其反向漏电流的增长率远低于普通肖特基二极管，这意味着在实际应用中可以减少因漏电流导致的静态功耗增加，提升系统整体能效。此外，由于其几乎无反向恢复电荷（Qrr）的特性，RD100HHF1C在高频开关电路中不会产生明显的反向恢复损耗和电磁干扰（EMI），有助于简化滤波设计并提高电源的动态响应能力。
　　DFN2520-10封装不仅尺寸小巧（2.5mm x 2.0mm x 0.95mm），还集成了底部散热焊盘，能够通过PCB有效传导热量，增强热管理能力。该封装支持回流焊工艺，适用于自动化贴装生产线，提升了制造效率和产品一致性。此外，器件内部引线设计经过优化，降低了寄生电感和电阻，进一步改善了高频性能和瞬态响应。综合来看，RD100HHF1C在性能、尺寸与可靠性之间达到了优异的平衡，是替代传统快恢复二极管或标准肖特基二极管的理想选择。

RD100HHF1C广泛应用于多种高效率、小体积的电源管理系统中。典型用途包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的DC-DC升压或降压转换器，作为输出整流或续流二极管使用，能够显著降低导通损耗，延长电池续航时间。在USB PD充电器、无线充电模块等高功率密度电源适配器中，该器件凭借其低VF和低漏电流特性，有助于实现更高的能量转换效率和更优的热管理。
　　此外，该二极管常用于电池供电系统的反接保护和电源路径切换（Power ORing）电路中，防止主电源与备用电源之间的反向电流流动，确保系统供电安全可靠。在工业控制设备、传感器模块和IoT终端设备中，RD100HHF1C可用于隔离不同电源域，避免相互干扰，并在断电时提供快速泄放路径。其优异的温度稳定性和长期可靠性也使其适用于汽车电子中的非动力系统，例如车载信息娱乐系统、ADAS传感器电源管理等对元器件品质要求较高的领域。

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