时间：2025/7/16 15:06:57
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RD06HHF1 是一款由 Rohm 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 DPAK 封装（TO-252），具有低导通电阻和高开关速度的特性，适合用于各种功率转换应用，例如 DC-DC 转换器、电机驱动和电源管理电路。此外，RD06HHF1 还具备出色的热稳定性和抗静电能力，使其在严苛的工作环境下也能保持可靠性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：3.8A
导通电阻：150mΩ
栅极电荷：9nC
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：DPAK（TO-252）
RD06HHF1 的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。同时，其高开关速度能够降低开关损耗，在高频应用中表现出色。
该器件还具有良好的热性能，能够在较高的环境温度下正常运行。此外，RD06HHF1 的抗静电能力达到人体模型 ±2kV 和机器模型 ±200V 的标准，进一步提升了其可靠性。
Rohm 在设计 RD06HHF1 时采用了先进的工艺技术，确保其具备优异的电气特性和长期稳定性。这些特点使得 RD06HHF1 成为众多功率应用的理想选择。
RD06HHF1 广泛应用于需要高效功率转换的场景，典型应用包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流
2. 便携式电子设备的电池管理
3. 小型电机驱动及控制
4. LED 驱动电路
5. 各种 DC-DC 转换器模块
由于其低导通电阻和高效率，RD06HHF1 特别适合对功耗敏感的应用场合。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP067N06L
