型号：RD02MUS1B-T112
　　制造商：Rohm Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大连续漏极电流（ID）：2.5A（@TA=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：10A
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：75mΩ（@VGS=4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：95mΩ（@VGS=2.5V）
　　栅极阈值电压（Vth）：0.6V ~ 1.0V
　　输入电容（Ciss）：270pF（@VDS=10V）
　　反向传输电容（Crss）：40pF（@VDS=10V）
　　输出电容（Coss）：200pF（@VDS=10V）
　　开启延迟时间（td(on)）：8ns
　　关断延迟时间（td(off)）：12ns
　　封装类型：DFN1010 or CST3 (1.0mm x 1.0mm)
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

RD02MUS1B-T112具备出色的低导通电阻特性，在VGS=4.5V条件下，RDS(on)仅为75mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体电源效率。这一特性使其特别适合用于电池供电设备中，有助于延长续航时间。同时，在更低的驱动电压如2.5V下仍能保持95mΩ的低导通电阻，表明其具有良好的低压驱动能力，可直接由现代低电压逻辑IC或MCU GPIO引脚控制，无需额外的电平转换或驱动电路，简化了系统设计并节省了成本。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽式工艺技术，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流承载能力。其小型化封装（1.0mm x 1.0mm）不仅节省宝贵的PCB空间，还通过优化内部引线结构和散热设计，实现了良好的热传导性能，确保在高负载条件下仍能稳定运行。此外，器件具有较低的输入和输出电容，使得开关速度更快，开关损耗更小，适用于高频开关电源应用，如同步整流、负载开关和电机驱动等场景。
　　RD02MUS1B-T112还具备优秀的抗雪崩能力和稳健的栅氧层设计，能够在瞬态过压和电流冲击下保持可靠工作。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）支持在恶劣环境下的长期稳定性，适用于工业级和消费级双重应用场景。器件符合AEC-Q101车规可靠性测试标准的部分要求（视具体批次而定），增强了其在汽车电子中的适用潜力。此外，产品无卤素且符合RoHS指令，满足现代电子产品对环保与安全性的严格要求。

RD02MUS1B-T112广泛应用于需要高效、小型化功率开关的各类电子系统中。典型应用包括便携式设备中的电源路径管理与电池切换电路，例如智能手机和平板电脑中的主副电源切换、充电回路控制以及外设供电使能。在这些场景中，其低RDS(on)和小封装优势尤为突出，有助于降低发热并节省主板空间。
　　该器件也常用于DC-DC降压或升压转换器中的同步整流开关，特别是在轻载或中等负载条件下，其快速开关特性和低栅极电荷能够有效提升转换效率。此外，它还可作为LED背光驱动电路中的开关元件，实现精确的亮度调节与节能控制。
　　在微控制器外围电路中，RD02MUS1B-T112可用于GPIO扩展驱动，控制传感器、显示屏、Wi-Fi模块或其他功能模块的上电时序与功耗管理，实现按需供电以优化系统能耗。其低阈值电压允许3.3V或1.8V逻辑直接驱动，避免了额外驱动芯片的需求。
　　其他应用还包括USB电源开关、热插拔控制器、便携式医疗设备、智能家居传感器节点以及无人机等对重量和体积敏感的嵌入式系统。由于其高可靠性和稳定性，也可用于工业自动化中的低功率执行器控制或信号切换模块。

DMG2302UK-7
　　FDS6670AZ
　　AOZ5242AQI-01