RCLAMP2654P-TCT是一款由Semtech公司生产的高性能双向电压抑制二极管(TVS,瞬态电压抑制器),主要用于保护敏感的电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌和瞬态电压的影响。该器件采用先进的硅雪崩二极管技术制造,具有快速响应时间和高可靠性。其双向设计使其适用于交流信号线路或需要双向保护的应用场景。RCLAMP2654P-TCT采用紧凑的TDFN封装(4引脚),非常适合空间受限的高密度PCB设计。
工作电压:26V
反向关态电压(VRWM):26V
击穿电压(VBR):最小29.3V,典型30.5V,最大31.9V
钳位电压(VC):最大45V(在IPP=2.78A时)
峰值脉冲电流(IPP):2.78A(8/20μs波形)
漏电流(IR):最大10μA(在VRWM下)
电容(CT):典型值为3.5pF(在0V偏置下)
封装类型:TDFN-4
引脚数:4
工作温度范围:-55°C至+150°C
RCLAMP2654P-TCT具有多项优良特性,适用于多种电子系统的电路保护需求。首先,其低钳位电压特性能够有效减少在瞬态事件中传输到受保护电路的能量,从而降低损坏风险。其次,该器件具有非常低的漏电流,在正常工作条件下几乎不会对电路造成任何负载影响。此外,其小型TDFN封装不仅节省空间,还便于实现自动贴片组装,提高了生产效率。该器件的高浪涌耐受能力使其适用于需要较高可靠性的工业环境。双向保护结构使其适用于正负电压波动的场合,例如RS-485通信线路或AC电源输入端口。此外,RCLAMP2654P-TCT的电容值较低(仅3.5pF),适合用于高速信号线路保护,如USB、HDMI或以太网接口,以防止信号完整性受损。
该器件还具备优异的温度稳定性,在-55°C至+150°C的宽温度范围内均能保持稳定性能,适合在极端环境条件下使用。其雪崩击穿特性具有良好的重复性和一致性,能够提供长期稳定的保护性能。RCLAMP2654P-TCT符合IEC 61000-4-2 Level 4 ESD保护标准,确保在严苛的电磁环境中仍能提供可靠的保护。由于其双向对称结构,该器件在电路设计中可以灵活应用,无需考虑极性问题,简化了PCB布局和装配流程。
RCLAMP2654P-TCT广泛应用于多种电子设备中,用于保护敏感的IC和电路免受静电放电和其他瞬态电压的损害。常见应用包括工业控制设备、通信模块、网络设备(如交换机和路由器)、消费类电子产品(如智能手机、平板电脑和笔记本电脑)以及汽车电子系统。它特别适用于高速数据接口,如USB 3.0、HDMI、DisplayPort和以太网端口的ESD保护。此外,该器件还可用于保护RS-485、CAN总线等工业通信接口,以及用于AC电源输入端的浪涌保护。在汽车应用中,RCLAMP2654P-TCT可用于车载信息娱乐系统、远程信息处理模块和车身控制单元等场合,以提高系统可靠性和抗干扰能力。
RClamp2654P, PGB10265EPX101R0, ESDA26V1B1TR, ESDA26V1UB