类型：瞬态电压抑制器阵列
　　通道数：1
　　工作电压：24V
　　反向关态电压（VRWM）：24V
　　击穿电压（VBR）：最小26.7V，典型28.5V，最大30.4V
　　钳位电压（VC）：最大43.7V（在IPP=1A时）
　　最大峰值脉冲电流（IPP）：1A
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C至125°C

RCLAMP2431T.TCT IC 采用先进的硅雪崩技术，确保在各种恶劣环境下提供稳定可靠的保护。其低钳位电压特性使其在受到瞬态高压冲击时，能够迅速将电压钳制在一个安全范围内，从而保护后端电路免受损坏。该芯片的响应时间极快，通常在皮秒级别，远优于传统的压敏电阻或气体放电管。
　　该器件采用紧凑的SOT-23封装，适合在空间受限的设计中使用，同时具备出色的热稳定性和长期可靠性。其单向保护结构适用于直流电源线和信号线路的保护，例如在通信接口、工业控制设备、传感器模块和消费电子产品中都有广泛应用。
　　RCLAMP2431T.TCT IC 的另一个显著特点是其低漏电流，在正常工作条件下，漏电流小于1μA，不会对系统功耗造成明显影响。此外，该器件符合IEC 61000-4-2标准中对静电放电抗扰度的要求，确保其在实际应用中的兼容性和稳定性。

RCLAMP2431T.TCT 主要用于需要对电子系统进行过压保护的场合。典型应用包括但不限于以下领域：
　　1. 通信设备：如以太网接口、RS-485通信线路、USB接口等，用于防止静电放电和瞬态电压干扰。
　　2. 工业控制系统：用于PLC、传感器、执行器和工业计算机等设备中，保护关键电路免受电压浪涌影响。
　　3. 消费电子产品：如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于保护电源和数据接口。
　　4. 汽车电子：在车载信息娱乐系统、电池管理系统和传感器网络中提供电压保护。
　　5. 医疗设备：用于防止静电放电对精密电子元件造成损坏，确保设备的稳定运行。

RCLAMP2481T.TCT, PESD24VL1BA, SMAJ24A, SMLVT24C