RCLAMP0821P.TCT 是由 Semtech 公司生产的一款低电容、多线瞬态电压抑制器(TVP/TVS)阵列芯片,主要用于保护敏感的电子设备免受静电放电(ESD)、雷击浪涌和其他瞬态电压事件的损害。该器件采用小型化的 8 引脚 TDFN 封装,适用于需要高信号完整性和低插入损耗的高速数据线保护应用。
工作电压:8V
箝位电压(最大):21V @ 1A
反向击穿电压:8.2V
漏电流(最大):100nA @ 8V
电容(典型值):0.25pF @ 0V,1MHz 条件下
响应时间:小于 1ns
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
封装类型:TDFN-8
RCLAMP0821P.TCT 具有极低的寄生电容,使其非常适合用于高速信号线路的保护。其低电容特性(0.25pF)确保了信号完整性,不会对数据传输速率造成影响。该器件的每个通道都提供对地和对电源的双向保护,从而简化了电路设计。此外,RCLAMP0821P.TCT 的响应时间小于 1 纳秒,能够在瞬态事件发生时迅速反应,提供有效的电压箝位,保护下游电路不受损坏。该芯片还能承受高达 ±30kV 的 ESD 冲击(IEC 61000-4-2 第 4 级标准),并能处理高达 12A 的峰值脉冲电流(波形 8/20μs)。其小型 TDFN 封装设计也节省了 PCB 空间,适用于现代高密度电子产品设计。
此外,该器件的功耗极低,在正常工作条件下漏电流非常小(最大 100nA),有助于降低整体系统功耗。RCLAMP0821P.TCT 的工作温度范围宽,适用于各种工业级和消费类应用。其保护机制基于硅雪崩二极管技术,提供稳定可靠的长期性能,适用于长期运行在恶劣电磁环境中的设备。
RCLAMP0821P.TCT 常用于高速数据通信接口的静电保护,如 USB 3.0、HDMI、DisplayPort、以太网、LVDS 和其他高频信号线路。它广泛应用于个人计算机、服务器、网络设备、工业自动化控制系统、消费电子产品以及通信基础设施设备中。由于其低电容和高速特性,它特别适合用于防止 ESD 和其他瞬态干扰对敏感 IC 的损害。此外,该器件也常用于测试设备、医疗仪器、汽车电子模块以及便携式电子设备的信号线路保护,以确保设备在严苛环境中仍能稳定运行。
RClamp0811P.TCT, RClamp0521P.TCT, PESD5V0S1BA