时间：2025/9/9 7:38:30
阅读：5
RCH875NP-331K 是一款由 RCH（Rochester Components）公司制造的高性能电容器，属于陶瓷电容器类别。该电容器采用NP0（C0G）介质材料，具有优异的稳定性和低损耗特性，适用于对精度和稳定性要求极高的电子电路设计。其标称电容值为 330 pF（331 表示 330，最后一位为倍数，即 10^0），电容容差为 ±5%（K 表示 ±5%）。RCH875NP 系列通常用于射频（RF）电路、滤波器、振荡器以及高精度模拟电路中。
类型：陶瓷电容器
系列：RCH875NP
电容值：330 pF
容差：±5%
额定电压：50 V
介质材料：NP0（C0G）
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
封装形式：表面贴装（SMD）
尺寸：875（0.875英寸 × 0.75英寸）
绝缘电阻：≥10,000 MΩ
损耗因数（DF）：≤0.15%
RCH875NP-331K 电容器的核心特性是其使用了 NP0（C0G）介质材料，这种材料在温度变化下具有极高的稳定性，电容值随温度的变化几乎为线性且非常微小（温度系数为 0 ppm/°C ±30 ppm/°C）。此外，该电容器的损耗因数非常低，使得其在高频电路中表现出色，不会引入显著的信号损耗。其高绝缘电阻（≥10,000 MΩ）确保了电路在高阻抗应用中的可靠性。该器件还具有优异的长期稳定性，几乎不会随时间老化，非常适合用于精密电子设备中。RCH875NP-331K 的封装为表面贴装（SMD），便于自动化生产，并能在高温环境下稳定运行，适用于工业级和军用级应用场合。
在电气性能方面，该电容器的额定电压为 50V，能够承受较高的电压应力，确保在复杂电路中的稳定运行。其 ±5% 的容差也意味着在实际应用中，电容值的波动较小，适合用于需要高精度的滤波、振荡或耦合电路。此外，该电容器的结构设计能够有效减少寄生电感，从而在射频（RF）应用中提供更佳的性能。
RCH875NP-331K 电容器广泛应用于射频（RF）和微波电路、振荡器、滤波器、精密模拟电路、通信设备、测试与测量仪器等高精度和高性能要求的领域。由于其出色的温度稳定性和低损耗特性，该电容器特别适合用于高频信号路径中的耦合、旁路和调谐应用。在无线通信系统中，例如基站、无线发射模块和接收器中，它常用于构建高Q值滤波器和匹配网络。此外，在高精度模拟前端电路（如ADC和DAC的输入路径）中，RCH875NP-331K 也被广泛采用以确保信号完整性。在军事、航空航天和工业控制领域，这款电容器因其高可靠性和稳定性，常用于关键信号处理和电源管理电路中。
VJ0805Y331KXAC, C0805C331K5RACTU, GRM1555C1H331JD01
