RCH855NP-272K 是由 RCD (Rochester Components Division) 生产的一款多层陶瓷电容器(MLCC),具有较高的稳定性和可靠性,适用于各种高要求的电子应用。该型号的标称电容值为 2700 pF(即272表示2700 pF),容差为±10%,额定电压为50V。这款电容器采用了NP0(C0G)介质材料,具有出色的温度稳定性和低损耗特性,非常适合用于射频(RF)电路、滤波器、振荡器和定时电路等对稳定性要求较高的场景。
电容值:2700 pF
容差:±10%
额定电压:50V
介质材料:NP0(C0G)
封装尺寸:0805(2.0mm x 1.25mm)
温度系数:0 ppm/°C ±30 ppm/°C
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
绝缘电阻:10,000 MΩ 最小
ESR(等效串联电阻):低至几毫欧级别
尺寸(长x宽x高):约2.0mm x 1.25mm x 0.8mm
RCH855NP-272K 的核心特性之一是其优异的温度稳定性。采用 NP0(C0G)介质材料,使其在-55°C至+125°C的工作温度范围内保持电容值的恒定,温度系数仅为 0 ppm/°C ±30 ppm/°C。这种特性使得该电容器在需要精确电容值的电路中表现卓越,如射频滤波器和振荡器。
此外,RCH855NP-272K 具有低损耗特性,在高频环境下表现出色,适用于射频和高速电路。其低等效串联电阻(ESR)和高品质因子(Q值)可以有效减少能量损耗,提高电路效率。
RCH855NP-272K 主要用于对稳定性、精度和可靠性要求较高的电子系统中。其最常见的应用包括射频(RF)滤波器、振荡器、定时电路和精密模拟电路。由于其低损耗和高频响应特性,它在无线通信设备、雷达系统、测试与测量仪器中也有广泛应用。
GRM21BR71H272KA01L, C0805C272K5RACTU, CL21B272KBANNE