RCH855NP-181K是一款由ROHM(罗姆)半导体公司生产的多层陶瓷电容器(MLCC),属于高精度、高稳定性电容器系列。该器件广泛用于需要高频率稳定性和低ESR(等效串联电阻)的电子电路中,例如射频(RF)电路、滤波器、电源管理模块和精密模拟电路。该电容器采用标准表面贴装封装,适用于自动化装配流程。
电容值:180pF
容差:±10%
额定电压:50V
介质材料:NP0(C0G)
封装尺寸:0805(2012公制)
工作温度范围:-55°C至+125°C
温度系数:0ppm/°C ±30ppm/°C
绝缘电阻:10000MΩ以上
ESR(等效串联电阻):极低
DF(耗散因数):≤0.15%
RCH855NP-181K采用了NP0(C0G)介质材料,这种材料具有出色的温度稳定性,在-55°C至+125°C的工作温度范围内电容值变化极小,典型温度系数为0ppm/°C,容差控制在±30ppm/°C以内。该电容器的容差为±10%,适用于对精度要求较高的应用场合。
其额定电压为50V,能够满足大多数中高电压应用的需求。此外,该器件具有非常低的等效串联电阻(ESR)和耗散因数(DF),通常DF值低于0.15%,这使得该电容器在高频应用中表现出色,能够有效减少信号损耗和发热。
RCH855NP-181K采用0805(2012公制)封装,适合表面贴装工艺,便于在PCB上实现高密度布局。其机械强度高,焊接可靠性强,适用于各种自动化装配流程。
该电容器还具有良好的耐湿性和耐热性,能够在恶劣环境中稳定工作。其绝缘电阻超过10000MΩ,保证了良好的电气隔离性能,防止漏电流影响电路稳定性。
RCH855NP-181K广泛应用于对稳定性、精度和高频性能要求较高的电子系统中。例如,在射频电路中,它常用于调谐电路、滤波器和阻抗匹配网络,以确保信号的高稳定性和低损耗。
在精密模拟电路中,该电容器可用于精密放大器的反馈网络、滤波电路和积分电路,确保电路的高精度和低漂移特性。
此外,该器件也适用于电源管理模块中的去耦和旁路应用,能够有效滤除高频噪声,提高电源稳定性和效率。
在通信设备、测试仪器、工业控制设备和消费类电子产品中,RCH855NP-181K都能发挥重要作用,特别是在需要长期稳定工作的高可靠性系统中,其优越的性能得到了广泛认可。
GRM188R71H181KA01D, C1608C0G1H181J060AC, CL10A181JA8NNNC